[发明专利]具有金属模铸体的封装的功率半导体装置

权利要求书

1.一种具有形成第一连接导体的金属模铸体(2)的封装的功率半导体装置(1)，

其中，从所述金属模铸体(2)的第一主表面(20)开始，形成具有第一基底(220)的第一凹陷(22)，第一功率半导体元件(30)被设置在所述第一凹陷(22)中，其中所述第一功率半导体元件(30)面向所述第一基底(220)的第一接触表面(300)以导电方式连接到所述基底(220)，

其中，从所述金属模铸体(2)的第二主表面(24)开始，形成具有第二基底(260)的第二凹陷(26)，第二功率半导体元件(32)被设置在所述第二凹陷(26)中，其中所述第二功率半导体元件(32)与所述第二基底(260)相关的第一接触表面(320)以导电方式连接到所述基底(260)，

其中，在所述第一主表面(20)和所述第二主表面(24)上设置各自的绝缘材料层(40,42)，填充并完全覆盖至少各自的凹陷(22，26)，

其中，第一绝缘层(40)具有导电的第一通路(50)，其以导电方式将所述第一功率半导体元件(30)的第二接触表面(302)连接到设置在所述第一绝缘层(40)上的第一导电表面(60)，且其中第二绝缘层(42)具有导电的第二通路(52)，其以导电方式将所述第二功率半导体元件(32)的第二接触表面(322)连接到设置在所述第二绝缘层上的第二导电表面，

其中所述第一连接导体形成AC电压连接，且其中所述第一导电表面(60)和第二导电表面(62)形成补充连接导体，所述补充连接导体形成DC电压连接，

并且其中，至少一个导电表面(60,62)与相关联的冷却装置(80,82)热接触，所述冷却装置被设置在远离所述金属模铸体(2)的所述导电表面(60,62)的一侧上，且优选通过电绝缘夹层(70,72)与所述冷却装置绝缘。

2.如权利要求1所述的功率半导体装置，

其中，各自的绝缘层(40,42)和关联的绝缘夹层(70,72)简化为共同的绝缘层(400,420)。

3.如权利要求1所述的功率半导体装置，

其中，所述第一功率半导体元件(30)具有面向所述第一凹陷(22)的基底(220)且优选被构造为控制接触表面的第一补充接触表面(310)，并且其中与所述金属模铸体(2)电绝缘的第一补充通路(510)与所述第一补充接触表面(310)相关联，所述第一补充通路以导电方式将所述第一补充接触表面(310)连接到设置在所述第二绝缘层(42)上的第一补充导电表面(610)。

4.如权利要求3所述的功率半导体装置，

其中，所述第二功率半导体元件(32)具有远离所述第二凹陷(26)的基底(260)且优选被构造为控制接触表面的第二补充接触表面(330)，并且其中第二补充通路(530)与所述第二补充接触表面(330)相关联，所述第二补充通路以导电方式将所述第二补充接触表面(330)连接到设置在所述第二绝缘层(42)上的第二补充导电表面(630)。

5.如权利要求4所述的功率半导体装置，

其中，所述第二导电表面(62)、所述第一补充导电表面(610)和所述第二补充导电表面(630)由金属箔形成，所述金属箔被排列在内部且因此形成相互电绝缘的导电迹线。

6.如权利要求5所述的功率半导体装置，

其中，由绝缘材料箔在远离所述金属模铸体(2)的一侧上覆盖所述金属箔的导电迹线，且优选两个箔彼此粘附性地连接。

7.如权利要求4所述的功率半导体装置，

其中，所述第一和第二补充导电表面(610,630)被连接到用于控制所述功率半导体元件(30,32)的控制装置。

8.如权利要求1所述的功率半导体装置，

其中，所述金属模铸体(2)具有用于冷却所述功率半导体元件(30,32)的空腔(90)。

9.如权利要求8所述的功率半导体装置，

其中，所述空腔(90)形成热管的一部分。

10.如权利要求8所述的功率半导体装置，

其中，所述空腔(90)被设计用于液体或气体冷却剂流过其中。