[发明专利]一种SIP-3封装的双路输出霍尔芯片

权利要求书

1.一种SIP-3封装的双路输出霍尔芯片，其特征在于：包括第一驱动模块、第二驱动模块、第一NMOS管、第二NMOS管、第一下拉电阻和第二下拉电阻；

所述第一驱动模块用于提供第一驱动电流，包括第一霍尔元件、同相比较放大器和第一电压电流转换器；所述同相比较放大器的第一输入端与电源正极引脚相连，第二输入端与所述第一霍尔元件相连，输出端与所述第一电压电流转换器的输入端相连，所述第一电压电流转换器的输出端与所述第一NMOS管的栅极相连；

所述第二驱动模块用于提供第二驱动电流，包括第二霍尔元件、反向比较放大器和第二电压电流转换器；所述反相比较放大器的第一输入端与所述电源正极引脚相连，第二输入端与所述第二霍尔元件相连，输出端与所述第二电压电流转换器的输入端相连，所述第二电压电流转换器的输出端与所述第二NMOS管的栅极相连；

所述同相比较放大器的第一输入端和所述反相比较放大器的第一输入端极性相同；

所述第一NMOS管的漏极与第一信号输出引脚相连，源极接地；所述第二NMOS管的漏极与第二信号输出引脚相连，源极接地；

所述第一下拉电阻的一端接地，另一端与所述第一NMOS管的栅极相连；

所述第二下拉电阻的一端接地，另一端与所述第二NMOS管的栅极相连；

所述第一驱动电流在所述第一下拉电阻处的电压和所述第二驱动电流在所述第二下拉电阻处的电压同时仅使所述第一NMOS管和所述第二NMOS管中的一个导通。

2.根据权利要求1所述的SIP-3封装的双路输出霍尔芯片，其特征在于：所述第一NMOS管的导通电压和所述第二NMOS管的导通电压相同。

3.根据权利要求1所述的SIP-3封装的双路输出霍尔芯片，其特征在于：所述同相比较放大器和所述反相比较放大器的放大增益相同。

4.根据权利要求1所述的SIP-3封装的双路输出霍尔芯片，其特征在于：所述同相比较放大器的第一输入端和所述反相比较放大器的第一输入端均为正输入端。

5.根据权利要求1所述的SIP-3封装的双路输出霍尔芯片，其特征在于：所述同相比较放大器的第一输入端和所述反相比较放大器的第一输入端均为负输入端。

6.根据权利要求1所述的SIP-3封装的双路输出霍尔芯片，其特征在于：所述第一下拉电阻和所述第二下拉电阻的阻值相同。

7.根据权利要求1所述的SIP-3封装的双路输出霍尔芯片，其特征在于：所述第一电压电流转换器和所述第二电压电流转换器的输出电流与输入电压的比值相同。

8.根据权利要求1所述的SIP-3封装的双路输出霍尔芯片，其特征在于：所述SIP-3封装的双路输出霍尔芯片的宽度为4.1mm。

9.根据权利要求1所述的SIP-3封装的双路输出霍尔芯片，其特征在于：当磁铁S极感应所述第一霍尔元件和所述第二霍尔元件时，所述第一信号输出引脚输出为低电平，所述第二信号输出引脚输出为高电平。

10.根据权利要求1所述的SIP-3封装的双路输出霍尔芯片，其特征在于：当磁铁N极感应所述第一霍尔元件和所述第二霍尔元件时，所述第一信号输出引脚输出为高电平，所述第二信号输出引脚输出为低电平。