[发明专利]混响室条件下辐射敏感度测试方法及装置

说明书

本发明适用于电磁技术领域，提供了一种混响室条件下的辐射敏感度测试方法及装置。该方法包括：测量混响室中多个搅拌位置下受测设备受到干扰的次数和场强的直角分量，并根据受测设备受到干扰的次数和场强直角分量，计算干扰概率和参数σ；根据测试频率和所述受测设备的尺寸计算波数和能够包含受测设备的最小球体的半径，并根据所述波数和半径得出受测设备的方向性系数最大值；根据参数σ、干扰频率和方向性系数最大值，结合预设模型得出受测设备的临界辐射干扰场强。该方法能够解决混响室中受测设备的辐射敏感度测试结果与均匀场相关性较差的问题，尤其适用于复杂的电大尺寸设备，为混响室条件下设备的辐射敏感度测试提供新的思路。

技术领域

本发明属于电磁技术领域，尤其涉及一种混响室条件下的辐射敏感度测试方法及装置。

背景技术

随着微电子技术的高速发展，电子设备逐渐趋于小型化、集成化，设备内部及其工作场地的电磁环境也越来越复杂。在设备定型前进行辐射敏感度测试，是评估设备电磁防护性能的重要手段。混响室作为一种新兴的测试场地，一般用于设备辐射敏感度的通过性测试，用于临界辐射干扰场强测试还有待研究。由于混响室内部为统计均匀的电磁环境，传统均匀场中的辐射敏感度测试方法在混响室中并不适用，采用现有标准中提供的方法也存在校准过程复杂、与均匀场相关性较差的问题。另外，辐射敏感度作为设备的自身属性，不应随测试场地的不同而产生较大差异，使混响室中的测试结果与均匀场相一致的测试方法尚有待探索。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种辐射敏感度测试方法及装置，以解决现有技术中在混响室条件下的测试结果与均匀场相差较大的问题。

本发明实施例的第一方面，提供了一种辐射敏感度测试方法，包括：

测量混响室中多个搅拌位置下所述受测设备受到干扰的次数和场强的直角分量，并根据所述受测设备受到干扰的次数和场强直角分量，计算干扰概率和参数σ；

根据测试频率和所述受测设备的尺寸计算波数和能够包含所述受测设备的最小球体的半径，并根据所述波数和半径得出所述受测设备的方向性系数最大值；

根据所述参数σ、所述干扰概率和所述方向性系数最大值，计算所述受测设备的临界辐射干扰场强。

本发明实施例的第二方面，提供了一种辐射敏感度测试装置，包括：

测量计算模块，用于测量混响室中多个搅拌位置下所述受测设备受到干扰的次数和场强的直角分量，并根据所述受测设备受到干扰的次数和场强直角分量，计算干扰概率和参数σ；

处理模块，用于根据测试频率和所述受测设备的尺寸计算波数和包含所述受测设备的最小球体的半径，并根据所述波数和半径得出所述受测设备的方向性系数最大值；

模型计算模块，用于根据所述参数σ、所述干扰概率和所述方向性系数最大值，结合预设模型得出所述受测设备的临界辐射干扰场强。

本发明实施例相对于现有技术所具有的有益效果：本发明实施例，基于混响室与均匀场中受测设备敏感元件接收功率等效的思想，结合混响室和接收天线的相关理论，解决混响室中受测设备的临界辐射干扰场强测试结果与均匀场相关性较差的问题，尤其适用于电大尺寸的复杂设备，为混响室条件下设备的辐射敏感度测试提供新的思路。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例提供的辐射敏感度测试方法的流程图；

图2是本发明实施例提供的400MHz时的天线模型及其辐射方向图；