[发明专利]一种电极结构、QLED及制备方法

说明书

本发明公开一种电极结构、QLED及制备方法，所述电极结构包括基底、位于基底表面上的具有多个凹槽的透明电极、填充于凹槽内的掺杂氧化物以及沉积于透明电极表面的氧化镍薄膜或氧化锰薄膜。本发明的电极结构，在具有凹槽的透明电极上引入掺杂氧化物来填平凹槽，并在透明电极上再沉积一层氧化镍薄膜或氧化锰薄膜，氧化镍薄膜或氧化锰薄膜的引入能够有效约束从发光层发出来的光，并且更大程度地将光导入透明电极的凹槽中，利用凹槽改变光从透明电极到玻璃界面的出光角度，减少全反射几率，从而提高器件的出光效率。本发明能降低透明电极与发光功能层的势垒，提高器件的空穴注入效率。

技术领域

本发明涉及发光显示领域，尤其涉及一种电极结构、QLED及制备方法。

背景技术

量子点发光二极管（QLED）由于其具有色彩饱和、纯度高、单色性佳、颜色可调以及可用溶液法制备等优点，被认为是下一代发光器件的优势技术。目前，QLED的外量子效率只能达到20%甚至更低，有大部分光被限制在器件结构中，这主要是由于QLED器件结构折射率的适配，当光从高折射率材料向低折射率材料传播（比如ITO/玻璃界面，玻璃/空气界面）时，很大一部分光被捕获，ITO/玻璃界面称为波导模式全反射，玻璃/空气界面称为玻璃模式全反射，这些情况都会降低QLED器件的出光效率。研究学者们对这些光学模式展开了很多的研究，通过对器件结构、形貌的改善与调控来提高器件的出光效率，比如：改变透明电极表面形貌、增加折射率匹配层、利用光子晶体或是纳米结构等方法提高器件的外量子效率。

其中，通过改变透明电极的表面形貌来提高器件的出光效率被证明是一种行之有效的方式。目前最通用的透明电极是ITO，有研究表明，凹槽结构能够提高有机发光二极管（OLED）20%的出光效率。然而，这种结构并不适用于QLED，因为QLED使用无机量子点材料作为发光层，通常采用溶液法制备，凹槽结构会造成成膜不匀，甚至可能导致器件性能以及寿命的下降。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种电极结构、QLED及制备方法，旨在解决现有电极结构无法提高QLED器件出光效率的问题。

本发明的技术方案如下：

一种电极结构，其中，包括基底、位于基底表面上的具有多个凹槽的透明电极、填充于凹槽内的掺杂氧化物以及设置于透明电极表面的氧化镍薄膜或氧化锰薄膜。

所述的电极结构，其中，所述掺杂氧化物为铝掺杂氧化锌、氟掺杂氧化锡或锑掺杂氧化锡。

所述的电极结构，其中，所述透明电极为ITO。

所述的电极结构，其中，所述凹槽的深度为50~100nm。

所述的电极结构，其中，所述透明电极的厚度为250~300nm。

所述的电极结构，其中，所述氧化镍薄膜或氧化锰薄膜的厚度为5~10nm。

所述的电极结构，其中，所述凹槽为圆形，孔径为2~10μm。

一种量子点发光二极管，其中，所述量子点发光二极管的电极结构采用如上电极结构。

所述的量子点发光二极管，其中，所述量子点发光二极管包括层叠设置的电极结构、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层、顶电极。

一种电极结构的制备方法，其中，包括步骤：

在基底上制作透明电极；

利用掩膜板对透明电极进行刻蚀，使透明电极上形成多个凹槽；

在透明电极上沉积掺杂氧化物，然后去除透明电极表面多余的掺杂氧化物；

最后在透明电极表面沉积一层氧化镍薄膜或氧化锰薄膜。