[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 201710127535.9 | 申请日: | 2017-03-06 |
公开(公告)号: | CN106601757A | 公开(公告)日: | 2017-04-26 |
发明(设计)人: | 李嘉 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304 | 代理人: | 孙伟峰,黄进 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种薄膜晶体管阵列基板,包括阵列设置于玻璃基板上的薄膜晶体管,每一所述薄膜晶体管电性连接有一像素电极,其特征在于,所述薄膜晶体管包括有源层,所述像素电极与所述有源层位于同一结构层中,所述有源层由第一部分半导体材料形成,所述像素电极由与所述第一部分半导体材料相互一体连接的第二部分半导体材料转化为导体后形成,所述半导体材料为金属氧化物半导体材料。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述金属氧化物半导体材料为IGZO或IGZTO。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述像素电极和所述有源层的厚度为。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,通过UV光照工艺或离子注入工艺将所述第二部分半导体材料转化为导体后形成所述像素电极。
5.根据权利要求1-4任一所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管还包括栅电极、源电极和漏电极,所述栅电极形成于所述玻璃基板上,所述栅电极上覆设有栅极绝缘层,所述有源层和所述像素电极形成于所述栅极绝缘层上,所述有源层相对位于所述栅电极的正上方,所述源电极和漏电极相互间隔地形成于所述有源层上,所述漏电极还电性连接到所述像素电极。
6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述源电极和漏电极的材料为Au、Cu、Ni或Ag。
7.根据权利要求5所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括覆设于所述薄膜晶体管上的钝化层。
8.一种如权利要求1-7任一所述的薄膜晶体管阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:
在玻璃基板上沉积形成金属氧化物半导体薄膜;
通过一次光罩工艺,将所述金属氧化物半导体薄膜划分形成相互一体连接的第一部分半导体材料和第二部分半导体材料;
将所述第一部分半导体材料设定为有源层,将所述第二部分半导体材料转化为导体后形成像素电极。
9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管阵列基板的制备方法,其特征在于,该方法具体包括步骤:
S1、提供一玻璃基板,在该玻璃基板上沉积形成栅电极薄膜层;
S2、通过第一道光罩工艺将所述栅电极薄膜层制备形成图案化的栅电极;
S3、在如上结构的玻璃基板上依次沉积形成栅极绝缘层、金属氧化物半导体薄膜以及源/漏电极薄膜层;
S4、通过第二道光罩工艺,刻蚀所述金属氧化物半导体薄膜和源/漏电极薄膜层,保留有源层和像素电极所对应位置的金属氧化物半导体薄膜和源/漏电极薄膜层;
S5、通过第三道光罩工艺将所述金属氧化物半导体薄膜和源/漏电极薄膜层制备形成有源层、像素电极以及源电极和漏电极;该步骤具体包括:
S51、在所述源/漏电极薄膜层上形成光刻胶层;
S52、应用半色调或灰色调掩模板对所述光刻胶层进行曝光和显影,形成光刻胶完全保留的第一区域、光刻胶部分保留的第二区域和光刻胶未保留的第三区域;
S53、刻蚀掉所述第三区域的源/漏电极薄膜层,暴露出部分金属氧化物半导体薄膜,在所述第一区域和第二区域对应形成第一部分半导体材料,在所述第三区域对应形成第二部分半导体材料;
S54、将所述第一部分半导体材料设定为有源层,将所述第二部分半导体材料转化为导体后形成像素电极;
S55、通过灰化工艺去除所述第二区域的光刻胶;
S56、刻蚀掉所述第二区域的源/漏电极薄膜层,在所述第一区域形成相互间隔的源电极和漏电极;
S57、剥离去除所述第一区域的光刻胶。
10.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-7任一所述的薄膜晶体管阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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