[发明专利]NAND闪存的读操作处理方法、装置和NAND存储设备

说明书

本发明实施例公开了一种NAND闪存的读操作处理方法、装置和NAND存储设备。其中，所述方法应用于NAND存储设备，所述存储设备包括多条字线和多个NAND存储器单元，每条字线分别与对应的存储器单元连接，所述方法包括：确定待读取的存储器单元；为与所述待读取的存储器单元对应的字线相邻的两条字线加第一电压，其中，第一电压为经滤波器滤波后的电压；为所述待读取的存储器单元对应的字线加第二电压，其中，第一电压大于第二电压。本发明实施例通过为与待读取的存储器单元对应的字线相邻的两条字线加经滤波器滤波后的电压，通过滤波器减小该相邻的两条字线上电压的波动，从而减小待读取的存储器单元对应的字线上电压的波动，以提高读操作的准确性。

技术领域

本发明实施例涉及存储器技术，尤其涉及一种NAND闪存的读操作处理方法、装置和NAND存储设备。

背景技术

NAND flash是Flash内存的一种，属于非易失性半导体存储器。NAND flash包括很多数据块，每个数据块由很多存储器单元组成，用于读写数据。

众所周知，半导体存储器具有排列成阵列的大量存储器单元，阵列内一特定的存储器单元通常经由一字线(word-line,WL)与一对位线(bit-line,BL)选取。字线通常耦接至一行内各存储器单元的一个或多个控制栅。由于控制栅的导通特性与NMOS相似，因此，当耦接于其上的字线具有高电压时(即，被活化，activate)，所有的存储器单元会被导通。位线对(BL pair)通常耦接一列内各存储器单元的存储点至一感测放大器。位于被活化的字线与位线对的一交叉点的存储器单元便是所选择的存储器单元。通过控制字线和位线的高低电压可以实现对存储器单元的读写擦操作。

NAND flash实现读操作时，如图1(a)所示，若要读WLn，则最基本方法是给所选择的WLn加用于读操作时对应的Vn电压，其他WL加与之相比更高的Vm电压，并且是由NANDflash芯片内部的电荷泵提供的。进一步的，为了提高读操作的准确性，需要减小晶体管的vt分布，现有技术中采用VmH模式，该模式的实现如图1(b)所示，即给所选择的WLn相邻的WLn+1和WLn-1均加比Vm更高的VmH电压，其他WL加Vm电压，其中，VmH电压要大于Vm电压，那么图1(b)中加VmH电压的负载就小于图1(a)中对应加Vm电压的负载，所以VmH的电压波动(ripple)较大，导致WLn被WLn+1与WLn-1耦合，因此，图1(b)中WLn的ripple比图1(a)中对应WLn的的ripple大，继而影响对图1(b)中WLn进行读操作的结果准确性。

发明内容

本发明实施例提供一种NAND闪存的读操作处理方法、装置和NAND存储设备，以解决现有技术中读操作时因字线电压波动较大而影响读操作准确性的问题。

第一方面，本发明实施例提供了一种NAND闪存的读操作处理方法，应用于NAND存储设备，所述存储设备包括多条字线和多个NAND存储器单元，每条字线分别与对应的存储器单元连接，其中，所述方法包括：

确定待读取的存储器单元；

为与所述待读取的存储器单元对应的字线相邻的两条字线加第一电压，其中，第一电压为经滤波器滤波后的电压；

为所述待读取的存储器单元对应的字线加第二电压，其中，第一电压大于第二电压。

优选的，所述滤波器为RC滤波器。

第二方面，本发明实施例提供了一种NAND闪存的读操作处理装置，应用于NAND存储设备，所述存储设备包括多条字线和多个NAND存储器单元，每条字线分别与对应的存储器单元连接，其中，所述装置包括：

确定模块，用于确定待读取的存储器单元；

第一电压施加模块，用于为与所述待读取的存储器单元对应的字线相邻的两条字线加第一电压，其中，第一电压为经滤波器滤波后的电压；