[发明专利]一种扫描聚焦系统及电子束控制方法

权利要求书

1.一种扫描聚焦系统，其特征在于，所述系统包括：电子源、电子加速结构、聚焦结构、偏转结构、电子减速结构和高压控制结构；其中，

所述电子源，用于产生电子束；

所述电子加速结构，用于对所述电子源产生的电子束进行加速；

所述聚焦结构，用于对加速后的电子束进行聚焦；

所述偏转结构，用于对聚焦后的电子束进行偏转扫描；

所述电子减速结构，用于产生一减速场，对经偏转扫描后的电子束进行减速；

所述高压控制结构，用于控制所述电子源、所述电子加速结构和所述电子减速结构的电压。

2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述系统还包括：探测结构，用于对电子束作用于样品后产生的信号电子进行探测。

3.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述电子加速结构为一阳极。

4.根据权利要求1至3任一项所述的系统，其特征在于，所述电子减速结构包括：第一电极和第二电极，所述第二电极与样品连接。

5.根据权利要求4所述的系统，其特征在于，所述偏转结构包括：第一电偏转器和第二电偏转器。

6.根据权利要求4所述的系统，其特征在于，所述高压控制结构，用于控制所述电子源电压-V₀的值为：-30KV≤-V₀≤-10KV；

控制所述电子加速结构的电压值为0；

控制所述第一电极和所述第二电极的电压值均为-V₀+V，0V≤V≤3KV。

7.根据权利要求4所述的系统，其特征在于，所述第一电极与所述聚焦结构中外极靴的高度相同，所述第一电极与所述聚焦结构中外极靴的水平间距可调。

8.根据权利要求1或2所述的系统，其特征在于，所述电子加速结构为高压管中的第三电极。

9.根据权利要求8所述的系统，其特征在于，所述电子减速结构包括：第五电极、第六电极和所述高压管中的第四电极，所述第六电极与样品连接。

10.根据权利要求9所述的系统，其特征在于，所述偏转结构包括：第一磁偏转器和第二磁偏转器。

11.根据权利要求9所述的系统，其特征在于，所述高压控制结构，用于控制所述电子源电压-V₀的值为：-3KV≤-V₀≤0V；

控制所述第三电极和所述第四电极的电压+V₂的值为10KV≤+V₂≤30KV；

控制所述第五电极和所述第六电极的电压值均为0。

12.根据权利要求9所述的系统，其特征在于，所述第五电极与所述聚焦结构中外极靴的高度相同，所述第五电极与所述聚焦结构中外极靴的水平间距可调。

13.一种电子束控制方法，其特征在于，所述方法包括：

控制电子源、电子加速结构和电子减速结构的电压；

所述电子源产生的电子束经所述电子加速结构和偏转结构中的第一偏转器沿远离光学中心轴的方向运动；

所述沿远离光学中心轴方向运动的电子束经所述偏转结构中的第二偏转器和聚焦结构后进行汇聚；

汇聚后的电子束经所述电子减速结构减速后照射至待测样品。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

对电子束照射至所述待测样品后产生的信号电子进行探测。

15.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述沿远离光学中心轴方向运动的电子束经所述聚焦结构中的第二偏转器和聚焦结构后进行汇聚，包括：

所述聚焦结构中的第二偏转器产生的场与所述聚焦结构产生的聚焦磁场形成摇摆式复合聚焦场，所述摇摆式复合聚焦场对所述沿远离光学中心轴方向运动的电子束进行汇聚。

16.根据权利要求13至15任一项所述的方法，其特征在于，所述电子减速结构包括：第一电极和第二电极，所述第二电极与样品连接。

17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述偏转结构包括：第一电偏转器和第二电偏转器。