[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体芯片，包括电平位移电路以根据低幅度逻辑信号的输入来输出高幅度信号，

其中所述电平位移电路包括：

串联耦合电路；

电位生成电路；

第一栅极控制电路，耦合至第一电源；

第二栅极控制电路，耦合至电位高于所述第一电源的电位的第二电源；和

第一电位转换电路，布置在所述第一栅极控制电路和所述串联耦合电路之间，

其中所述串联耦合电路包括：

第一P沟道MOS晶体管，其源极耦合至所述第二电源；

第二P沟道MOS晶体管，其源极耦合至所述第一P沟道MOS晶体管的漏极；

第一N沟道MOS晶体管，其源极耦合至参考电源；

第二N沟道MOS晶体管，其源极耦合至所述第一N沟道MOS晶体管的漏极；和

第一输出节点，所述第二P沟道MOS晶体管的漏极和所述第二N沟道MOS晶体管的漏极被耦合至所述第一输出节点，

其中所述电位生成电路生成第一电位、第二电位和第三电位，所述第一电位低于所述第二电源的电位且高于所述参考电源的电位并且被施加给所述第二P沟道MOS晶体管的栅极，所述第二电位低于所述第二电源的电位且高于所述参考电源的电位，所述第三电位低于所述第二电源的电位且高于所述参考电源的电位并且被施加给所述第二N沟道MOS晶体管的栅极，

其中所述第一栅极控制电路生成第一信号，所述第一信号具有所述参考电源的电位与所述第一电源的电位之间的幅度并且控制所述第一N沟道MOS晶体管的栅极，

其中所述第二栅极控制电路生成第二信号，所述第二信号具有所述第一电位与所述第二电源的电位之间的幅度并且控制所述第一P沟道MOS晶体管的栅极，以及

其中所述第一电位转换电路被配置为向所述第一N沟道MOS晶体管的栅极提供第一电平电位，所述第一电平电位低于所述第一信号的高电平且高于所述参考电源的电位。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第一P沟道MOS晶体管的衬底耦合至所述第二电源，

其中所述第二P沟道MOS晶体管的衬底耦合至所述第一P沟道MOS晶体管的漏极，

其中所述第一N沟道MOS晶体管的衬底耦合至所述参考电源；以及

其中所述第二N沟道MOS晶体管的衬底耦合至所述第一N沟道MOS晶体管的漏极。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第一电位转换电路被配置为基于第一控制信号向所述第一N沟道MOS晶体管的栅极提供高于所述第一电平电位的电位。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，还包括：

第二电位转换电路，布置在所述第二栅极控制电路与所述串联耦合电路之间，

其中所述第二电位转换电路被配置为向所述第一P沟道MOS晶体管的栅极提供第二电平电位，所述第二电平电位高于所述第二信号的低电平且低于所述第二电源电位。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，

其中所述第二电位转换电路被配置为基于第二控制信号向所述第一P沟道MOS晶体管的栅极提供低于所述第二电平电位的电位。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第一电位转换电路包括第一传输门，所述第一传输门由第三N沟道MOS晶体管组成，所述第三N沟道MOS晶体管的栅极耦合至所述第一电源，并且所述第三N沟道MOS晶体管的衬底耦合至所述第一传输门的第二输出节点。

7.根据权利要求3所述的半导体器件，

其中所述第一电位转换电路包括第二传输门，所述第二传输门由第三P沟道MOS晶体管组成，所述第三P沟道MOS晶体管的栅极被提供有所述第一控制信号，并且所述第三P沟道MOS晶体管的衬底耦合至所述第二传输门的第一输入节点。