[发明专利]一种用于静电夹盘(ESC)的夹紧电路有效
申请号: | 201710130515.7 | 申请日: | 2015-02-09 |
公开(公告)号: | CN106876313B | 公开(公告)日: | 2019-09-27 |
发明(设计)人: | R·萨德贾迪;W·G·小博伊德;V·D·帕科;M·M·诺基诺夫 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H02N13/00;B23Q3/15 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 侯颖媖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 静电 esc 夹紧 电路 | ||
1.一种用于静电夹盘的夹紧电路,所述夹紧电路包括:
一个或多个夹紧电极,安置在所述静电夹盘的电介质体中;
多个像素电极,安置在所述电介质体中;以及
夹紧电路,所述夹紧电路包括所述一个或多个夹紧电极以及所述多个像素电极,所述夹紧电路可操作来将基板静电地夹紧至所述静电夹盘的工件支撑表面,所述夹紧电路具有多个二次电路,其中每一个二次电路包括多个电容器中的至少一个电容器,每一个二次电路配置成独立地控制所述像素电极中的一个与地之间的阻抗。
2.如权利要求1所述的夹紧电路,进一步包括:
像素控制器,配置成独立地打开和关闭所述二次电路。
3.如权利要求1所述的夹紧电路,其中所述多个电容器进一步包括:
多个可变电容器;以及
多个固定电容器,其中所述多个电容器通过解耦电阻器耦接到薄膜晶体管。
4.如权利要求3所述的夹紧电路,其中所述可变电容器可提供在0pF至3.4pF之间的电容,以及每一个固定电容器可对所述可变电容器提供在0.5pF至74pF之间的总电容,且其中设置在所述薄膜晶体管与所述电容器之间的所述解耦电阻器可单独提供5欧姆的电阻。
5.如权利要求4所述的夹紧电路,其中在所述基板与所述静电夹盘之间的电容为220pF或更多。
6.如权利要求3所述的夹紧电路,其中所述可变电容器是可机械调整的。
7.如权利要求3所述的夹紧电路,其中所述可变电容器是可电性调整的。
8.如权利要求3所述的夹紧电路,其中所述可变电容器是RF可变电容器。
9.如权利要求1所述的夹紧电路,其中所述多个二次电路中的第一电路的阻抗不同于所述多个二次电路中的第二电路。
10.如权利要求1所述的夹紧电路,其中跨所述静电夹盘的工件支撑表面的阻抗中的局部变化小于10%。
11.如权利要求1所述的夹紧电路,其中所述电容器中的至少一个是MEMS电容器。
12.一种用于静电夹盘的夹紧电路,所述夹紧电路包括:
电介质体,具有工件支撑表面,所述电介质体包括:
夹紧电极,安置在所述电介质体中;以及
像素电极,安置在所述电介质体中,所述像素电极可在浮动状态与接地状态之间切换,其中所述像素电极当处于所述接地状态中时电耦接至电压受控的可变电容器电路而到达地;以及
夹紧电路,所述夹紧电路包括所述夹紧电极和所述像素电极,所述夹紧电路可操作来将基板静电地夹紧至所述工件支撑表面。
13.如权利要求12所述的夹紧电路,其中所述电压受控的可变电容器电路进一步包括:
多个分支,所述多个分支具有解耦电阻器,所述分支包括:
多个可变电容器;以及
多个固定电容器,所述多个固定电容器在相应的分支上与所述可变电容器耦接;以及
薄膜晶体管,耦接至所述多个分支。
14.如权利要求13所述的夹紧电路,其中所述多个分支包括六个分支,所述六个分支具有提供5欧姆电阻的相应的解耦电阻器。
15.如权利要求13所述的夹紧电路,其中所述薄膜晶体管选择所述分支中的哪一个或哪几个是浮动的,以及选择所述分支中的哪一个或哪几个将所述像素电极耦接至地。
16.如权利要求13所述的夹紧电路,其中针对所述多个分支中的每一个分支的总电容为相应的可变电容器与相应的固定电容器的总和。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造