[发明专利]石墨烯层的形成方法

说明书

技术领域

本发明的实施例涉及一种石墨烯层的形成方法。

背景技术

随着半导体产业进展到追求更高装置密度、更高性能及更低成本的纳米技术，已对半导体制造中使用的光刻工具提出了更严格的要求。已利用例如极紫外(extreme ultraviolet，EUV)光刻等技术来支持更小集成电路(IC)装置的临界尺寸(critical dimension，CD)需求。极紫外光刻使用波长为约1纳米至100纳米(例如13.5纳米)的极紫外区中的辐射，所述波长比深紫外(deep ultraviolet，DUV)光刻(例如，193纳米光刻)中的波长短得多。极紫外光刻使用朝向目标物(例如硅晶片)反射来自辐射源的极紫外辐射的掩模(或掩模版(reticle))，从而将来自所述掩模的图案转移至所述目标物。极紫外掩模的表面上的任何缺点(以及嵌入极紫外掩模中的缺点)可在所述目标物上造成成像缺点。因此，在光刻工艺期间保护极紫外掩模表面是重要的。

与传统上采用薄膜来保护掩模表面的深紫外光刻中使用的掩模不同，当前难以大规模地制造用于极紫外掩模的有效薄膜。一个原因在于极紫外辐射的波长非常短且传统薄膜的隔膜将会大量吸收所述极紫外辐射，以致所述隔膜将在几次使用之后因过热而变形，且还将实质上减少到达所述目标物的极紫外能量。因而，期望在这些方面得到改善。

发明内容

本发明的实施例提供一种石墨烯层的形成方法。所述方法包括：在第一衬底之上沉积第一材料层；以及在所述第一材料层之上沉积石墨烯层。所述方法还包括：在所述石墨烯层之上沉积非晶硅层；以及将所述非晶硅层结合至第二衬底，从而形成组件。所述方法还包括：使所述组件退火，从而将所述非晶硅层转变成氧化硅层。所述方法还包括：自所述组件移除所述第一衬底；以及自所述组件移除所述第一材料层，从而暴露出所述石墨烯层。

附图说明

通过结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本发明的各方面。要强调的是，根据所述产业中的标准惯例，各种特征并未按比例绘制。实际上，为论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1是可自本发明的各方面获益的光刻系统的简化示意图。

图2是说明根据本发明的各方面，一种制作在极紫外光刻系统中使用的薄膜的方法的流程图。

图3A、图3B、图3C、图3D、图3E、图3F、图3G、图3H、图3I、图3J、图3K及图3L是根据本发明的某些实施例，设备在各种制作阶段期间的剖视图。

[符号的说明]

100：极紫外光刻系统

102：辐射源

104：辐射束

106：聚光器光学器件

107：薄膜组件

108：掩模

109：薄膜隔膜

110：掩模载物台

111：薄膜框架

112：投影光学器件

114：目标物载物台

116：目标物

200：方法

202、204、206、208、210、212、214、216、218、220、222、224：操作

300：组件

302：第一衬底

304：第一材料层

304’：表面

306：石墨烯层

306’：表面

307：碳原子

308：非晶硅层

310：第二衬底/硅衬底

312：氧化硅层

314：载体

具体实施方式

以下公开内容提供用于实作所提供主题的不同特征的许多不同的实施例或实例。以下阐述部件及排列的具体实例以简化本公开内容。当然，这些具体实例仅为实例，且并非旨在进行限制。例如，在以下说明中将第一特征形成于第二特征“之上”或第二特征“上”可包括其中第一特征与第二特征被形成为直接接触的实施例，且也可包括其中所述第一特征与所述第二特征之间可形成有附加特征以使得所述第一特征与所述第二特征可能不直接接触的实施例。另外，本公开内容可在各种实例中重复参考编号及/或字母。这种重复是出于简洁及清晰的目的，而不是自身表示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。