[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

形成基底；

在所述基底上形成栅极结构；

形成位于所述栅极结构两侧基底内的源漏掺杂区；

在所述栅极结构露出的基底上形成介质层，所述介质层覆盖所述源漏掺杂区；

形成贯穿所述介质层的接触孔，所述接触孔底部露出所述源漏掺杂区；

在所述接触孔露出的源漏掺杂区上形成氧化金属层，形成氧化金属层的步骤包括：在所述接触孔露出的源漏掺杂区上形成金属前驱层；在所述金属前驱层上形成牺牲层；

在形成有氧化金属层的接触孔内形成插塞。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述接触孔露出的源漏掺杂区上形成氧化金属层的步骤中，所述氧化金属层的材料为氧化钛、氧化钴或氧化镍。

3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述接触孔露出的源漏掺杂区上形成氧化金属层的步骤中，所述氧化金属层的厚度小于或等于5nm。

4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述接触孔露出的源漏掺杂区上形成氧化金属层的步骤还包括：

对所述金属前驱层进行氧化处理，以形成所述氧化金属层。

5.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述氧化金属层的材料为氧化钛，在所述接触孔露出的源漏掺杂区上形成金属前驱层的步骤中，所述金属前驱层的材料为钛；

所述氧化金属层的材料为氧化钴，在所述接触孔露出的源漏掺杂区上形成金属前驱层的步骤中，所述金属前驱层的材料为钴；

所述氧化金属层的材料为氧化镍，在所述接触孔露出的源漏掺杂区上形成金属前驱层的步骤中，所述金属前驱层的材料为镍。

6.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，在所述接触孔露出的源漏掺杂区上形成金属前驱层的步骤中，所述金属前驱层的厚度在到范围内。

7.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，对所述金属前驱层进行氧化处理的步骤包括：

对形成有牺牲层的金属前驱层进行氧化退火处理，使所述金属前驱层氧化形成所述氧化金属层；

对形成有牺牲层的金属前驱层进行氧化退火处理之后，在形成有氧化金属层的接触孔内形成插塞之前，所述形成方法还包括：去除所述牺牲层露出所述氧化金属层。

8.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，在所述金属前驱层上形成牺牲层的步骤中，所述牺牲层的材料为非晶硅。

9.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，在所述金属前驱层上形成牺牲层的步骤中，所述牺牲层的厚度在到范围内。

10.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，对形成有牺牲层的金属前驱层进行氧化退火处理的步骤中，工艺气体包括氧气。

11.如权利要求10所述的形成方法，其特征在于，对形成有牺牲层的金属前驱层进行氧化退火处理的步骤中，工艺参数包括：退火温度在700℃到1050℃范围内，退火时间在5s到20s范围内，工艺气体包括氧气和氮气，工艺气体中氧气和氮气的体积比在1:20到1:2范围内，工艺气体流量在0.1slm到30slm范围内。

12.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在形成有氧化金属层的接触孔内形成插塞的步骤中，所述插塞的材料为钛或钨。