[发明专利]集成电路装置及其制造方法

权利要求书

1.一种集成电路装置，其包括：

绝缘膜；

接触件，其在第一方向上延伸且被提供于所述绝缘膜内，所述接触件包含第一部分、第二部分及第三部分，所述第一部分、第二部分及第三部分按此顺序沿着所述第一方向布置，在正交于所述第一方向的第二方向上，所述第二部分的直径大于所述第一部分的直径，在所述第二方向上，所述第二部分的所述直径大于所述第三部分的直径，所述第一部分的侧表面及所述第三部分的侧表面接触所述绝缘膜；及

绝缘部件，其接触所述第二部分的侧表面，所述绝缘部件的组成与所述绝缘膜的组成不同。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述绝缘部件的配置是环绕所述接触件的环形配置。

3.一种集成电路装置，其包括：

堆叠主体，其包含沿着第一方向交替地堆叠的多个绝缘膜及多个电极膜；

半导体部件，其在所述第一方向上延伸且被提供于所述堆叠主体内，所述半导体部件包含第一部分、第二部分及第三部分，所述第一部分、第二部分及第三部分按此顺序沿着所述第一方向布置，所述第二部分安置于所述绝缘膜中的一者内，在正交于所述第一方向的第二方向上，所述第二部分的直径大于所述第一部分的直径，在所述第二方向上，所述第二部分的所述直径大于所述第三部分的直径；

电荷存储膜，其提供于所述半导体部件与所述电极膜之间；及

绝缘部件，其被提供于所述第二部分的侧表面上，所述绝缘部件的组成与所述绝缘膜的组成不同。

4.根据权利要求3所述的装置，其中所述绝缘部件的配置是环绕所述第二部分的环形配置。

5.根据权利要求3所述的装置，其中所述多个电极膜中的最接近所述第二部分且被提供于所述第三部分周围的电极膜包含延伸到所述第二部分的侧表面上的延伸部分。

6.根据权利要求5所述的装置，其中所述延伸部分的配置是环绕所述第二部分的环形配置。

7.一种集成电路装置，其包括：

衬底；

堆叠主体，其被提供于所述衬底上的第一区域中，所述堆叠主体包含沿着第一方向交替地堆叠的多个第一绝缘膜及多个电极膜；

第二绝缘膜，其被提供于所述衬底上的第二区域中；

半导体部件，其在所述第一方向上延伸且被提供于所述堆叠主体内，所述半导体部件包含第一部分、第二部分及第三部分，所述第一部分、第二部分及第三部分按此顺序沿着所述第一方向布置，所述第二部分安置于所述第一绝缘膜中的一者内，在正交于所述第一方向的第二方向上，所述第二部分的直径大于所述第一部分的直径，所述第二部分的所述直径大于所述第三部分的直径；

电荷存储膜，其提供于所述半导体部件与所述电极膜之间；

接触件，其在所述第一方向上延伸且被提供于所述第二绝缘膜内；及

第一绝缘部件，其接触所述接触件的侧表面，所述第一绝缘部件的组成与所述第二绝缘膜的组成不同。

8.根据权利要求7所述的装置，其中

台面差形成于所述接触件的所述侧表面中，所述侧表面中除所述台面差外的区域的部分接触所述第二绝缘膜，且

所述第一绝缘部件接触所述台面差。

9.根据权利要求7所述的装置，其中

所述接触件的第一部分、第二部分及第三部分按此顺序沿着所述第一方向布置，

在所述第二方向上，所述第二部分的直径大于所述第一部分的直径，在所述第二方向上，所述第二部分的所述直径大于所述第三部分的直径，

所述第一部分的侧表面及所述第三部分的侧表面接触所述第二绝缘膜，且

所述第一绝缘部件接触所述第二部分的侧表面。

10.根据权利要求7所述的装置，其进一步包括：第二绝缘部件，其提供于所述半导体部件的所述第二部分的侧表面上，所述第二绝缘部件的组成与所述第一绝缘膜的组成不同，

在所述第一方向上，所述第一绝缘部件的上表面的位置等于所述第二绝缘部件的上表面的位置。