[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上具有器件结构，所述器件结构包括初始侧墙结构；

在所述基底、器件结构以及初始侧墙结构的顶部表面形成初始第一介质层；

平坦化所述初始第一介质层，直至暴露出初始侧墙结构的顶部表面，形成第一介质层；

去除部分初始侧墙结构形成侧墙结构，所述侧墙结构的顶部表面低于或者齐平于所述第一介质层顶部表面的最低点；

形成所述侧墙结构之后，对部分所述第一介质层进行密实化处理形成初始第二介质层，所述初始第二介质层的底部表面低于所述侧墙结构的顶部表面，且所述初始第二介质层的密度大于所述第一介质层的密度；

形成所述初始第二介质层之后，去除器件结构形成开口结构；

在所述开口结构内以及初始第二介质层上形成材料层；

平坦化所述材料层以及初始第二介质层直至暴露出侧墙结构的顶部表面，形成栅极结构和第二介质层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底包括：第一区和第二区。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述器件结构包括位于所述第一区的第一伪栅极结构以及位于所述第二区的第二伪栅极结构；所述第一伪栅极结构包括：第一伪栅介质层以及位于所述第一伪栅介质层上的第一伪栅极层；所述第二伪栅极结构包括：第二伪栅介质层以及位于所述第二伪栅介质层上的第二伪栅极层。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一伪栅极结构沿沟道长度方向的尺寸小于第二伪栅极结构沿沟道长度方向的尺寸。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一伪栅极层的顶部表面具有第一掩膜层；所述第二伪栅极层的顶部表面具有第二掩膜层；所述第一掩膜层厚度较第二掩膜层厚度薄。

6.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始侧墙结构包括初始第一侧墙和初始第二侧墙，所述初始第一侧墙位于所述第一伪栅介质层和第一伪栅极层的侧壁，所述初始第二侧墙位于所述第二伪栅介质层和第二伪栅极层的侧壁。

7.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，平坦化所述初始第一介质层的过程中，还包括：去除第一掩膜层和第二掩膜层。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始第一介质层的材料包括：氧化硅。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始第一介质层的形成工艺包括：流体化学气相沉积工艺。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，平坦化所述初始第一介质层的工艺包括：化学机械研磨工艺。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除部分初始侧墙结构的工艺包括：各向 同性干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺。

12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述各向 同性干法刻蚀工艺的工艺参数包括：刻蚀气体包括：CH₃F、CH₂F₂和O₂，其中，CH₃F的流量为：10标准毫升/分钟～500标准毫升/分钟，CH₂F₂的流量为：10标准毫升/分钟～200标准毫升/分钟，O₂的流量为：10标准毫升/分钟～300标准毫升/分钟，压力为：2毫托～50毫托，功率：100瓦～200瓦。

13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始侧墙结构沿垂直于所述基底顶部表面的方向上的去除量为：3纳米～10纳米。