[发明专利]避免急遽直流饱和衰减的磁芯及其制备方法在审
申请号: | 201710131089.9 | 申请日: | 2017-03-07 |
公开(公告)号: | CN108573795A | 公开(公告)日: | 2018-09-25 |
发明(设计)人: | 周宗汉 | 申请(专利权)人: | 一诺科技股份有限公司 |
主分类号: | H01F27/24 | 分类号: | H01F27/24;H01F41/02 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 王玉双;李岩 |
地址: | 中国台湾台北市中山*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 导磁率 侧柱 磁芯 第二连接部 第一连接部 直流饱和 第一翼 衰减 底座 制备 底座连接 距离设置 一体烧结 柱间隔 平行 延伸 | ||
一种避免急遽直流饱和衰减的磁芯及其制备方法,该磁芯是一体烧结形成,该磁芯具有一中柱、二侧柱及一底座,每一该侧柱分别与该中柱间隔一距离设置,每一该侧柱均平行于该中柱,该底座连接于该中柱及该二侧柱。其中,该中柱具有一第一导磁率,该二侧柱分别具有一第二导磁率,该第一导磁率小于该第二导磁率,该底座具有一连接该中柱的第一连接部,二分别对应其中一该侧柱的第二连接部,及二分别自该第一连接部延伸而与其中一该第二连接部相连的第一翼部,该第一连接部与每一该第一翼部均具有该第一导磁率,该第二连接部则具有该第二导磁率。
技术领域
本发明涉及一种避免急遽直流饱和衰减的磁芯及其制备方法,尤指一种经一体烧结后中柱部分具较低导磁率的磁芯及其制备方法。
背景技术
电感器于诸多实施情况下是需要接受相对高的直流电流,如10安培的电流,再者,除高直流电流之外,电感器亦会在高工作频率下实施。然,电感器是由一为至少一匝的绕组以及一磁芯(又称铁芯)所组构而成,该磁芯普遍仅具单一导磁率,而当电感器实施于高直流电流时,该磁芯一但进入饱和状态,将使电感器整体性能衰减,而不利于实施。
对此,遂有发明人提出一种具降低的直流电流饱和度的电力电感器,如中国台湾公告第I333220号专利所揭露,该专利揭露一种电力电感器,该电力电感器于一实施例中,具有一第一磁芯以及一第二磁芯,该第二磁芯具有比该第一磁芯低的磁导率,藉此以达到降低直流电流饱和度的目的。但,由该专利说明书第14页第3段及第4段所揭可知,该第一磁芯与该第二磁芯并非以一体烧结方式形成,而是分开制作再进行连接作业,且以连接方式实施将会影响整体的结构强度及其特性,而有不妥。
发明内容
本发明的主要目的,在于解决现有技术磁芯烧结后整体仅具单一导磁率,而会于电流饱和时产生急遽衰减的问题。
为达上述目的,本发明提供一种避免急遽直流饱和衰减的磁芯,该磁芯一体烧结成形有一中柱、二侧柱以及一底座,每一该侧柱分别与该中柱间隔一距离设置,每一该侧柱均平行于该中柱,该底座连接于该中柱及该二侧柱。进一步地,该中柱具有一第一导磁率,该二侧柱分别具有一第二导磁率,该第一导磁率小于该第二导磁率,该底座具有一连接该中柱的第一连接部,二分别对应其中一该侧柱的第二连接部,以及二分别自该第一连接部延伸而与其中一该第二连接部相连的第一翼部,该第一连接部与每一该第一翼部均具有该第一导磁率,该第二连接部则具有该第二导磁率。
于一实施例中,该底座具有二分别自其中一该侧柱延伸而与其中一该第一翼部连接的第二翼部,每一该第二翼部具有该第二导磁率。
除此之外,本发明亦提供一种避免急遽直流饱和衰减的磁芯的制备方法,该制备方法包含以下步骤:
初始步骤:提供设有一模穴的一模具,对该模穴中一中柱形成部设置一第一注料口,对该模穴中的二侧柱形成部分别设置一第二注料口;
注料步骤:通过该第一注料口与该第二注料口分别对该模穴进行注料,令该第一注料口对该中柱形成部注入一第一导磁材料,每一该第二注料口分别对其中一该侧柱形成部注入一第二导磁材料,且被注入的该第一导磁材料于该模穴中与该第二导磁材料接触,该第一导磁材料与该第二导磁材料为相同材质,但该第一导磁材料的导磁率小于该第二导磁材料;以及
烧结步骤:对该模具实施烧结,令注入该模穴内的该第一导磁材料与该第二导磁材料一体烧结为一磁芯,该磁芯具有一由该第一导磁材料形成的中柱、二分别由该第二导磁材料形成的侧柱及一底座,该底座连接于该中柱及二该侧柱,该中柱具有一第一导磁率,该二侧柱分别具有一第二导磁率,该第一导磁率小于该第二导磁率,该底座具有一连接该中柱的第一连接部,二分别对应其中一该侧柱的第二连接部,以及二分别自该第一连接部延伸而与其中一该第二连接部相连的第一翼部,该第一连接部与每一该第一翼部均具有该第一导磁率,该第二连接部则具有该第二导磁率。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于一诺科技股份有限公司,未经一诺科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710131089.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。