[发明专利]用于双端口静态存储器的写辅助电路

权利要求书

1.用于双端口静态存储器的写辅助电路，所述双端口静态存储器包括双端口存储单元，所述双端口存储单元包括：A端口字元线、A端口位元线、A端口反相位元线、B端口字元线、B端口位元线以及B端口反相位元线；其特征在于：

所述写辅助电路包括：将A端口位元线和B端口位元线锁定在低电平的位元线低电平锁定模块，将A端口反相位元线和B端口反相位元线锁定在高电平的反相位元线高电平锁定模块，将A端口反相位元线和B端口反相位元线锁定在低电平的反相位元线低电平锁定模块，将A端口位元线和B端口位元线锁定在高电平的位元线高电平锁定模块，A端口写入使能控制线，以及B端口写入使能控制线；

所述位元线低电平锁定模块包括：第一反相器、第一NMOS管、第二反相器以及第二NMOS管；第一反相器的输入端与A端口位元线连接，第一反相器的输出端与第一NMOS管的栅极连接，第一NMOS管的源极接地，第一NMOS管的漏极与B端口位元线连接；第二反相器的输入端与B端口位元线连接，第二反相器的输出端与第二NMOS管的栅极连接，第二NMOS管的源极接地，第二NMOS管的漏极与A端口位元线连接；

所述反相位元线高电平锁定模块包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管以及第四PMOS管；第一PMOS管的栅极与A端口位元线连接，第一PMOS管的源极连接电压源，第一PMOS管的漏极与第二PMOS管的源极连接，第二PMOS管的栅极与A端口写入使能控制线连接，第二PMOS管的漏极与B端口反相位元线连接；第三PMOS管的栅极与B端口位元线连接，第三PMOS管的源极连接电压源，第三PMOS管的漏极与第四PMOS管的源极连接，第四PMOS管的栅极与B端口写入使能控制线连接，第四PMOS管的漏极与A端口反相位元线连接；

所述反相位元线低电平锁定模块包括：第三反相器、第三NMOS管、第四反相器以及第四NMOS管；第三反相器的输入端与A端口反相位元线连接，第三反相器的输出端与第三NMOS管的栅极连接，第三NMOS管的源极接地，第三NMOS管的漏极与B端口反相位元线连接；第四反相器的输入端与B端口反相位元线连接，第四反相器的输出端与第四NMOS管的栅极连接，第四NMOS管的源极接地，第四NMOS管的漏极与A端口反相位元线连接；

所述位元线高电平锁定模块包括：第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管以及第八PMOS管；第五PMOS管的栅极与A端口反相位元线连接，第五PMOS管的源极连接电压源，第五PMOS管的漏极与第六PMOS管的源极连接，第六PMOS管的栅极与A端口写入使能控制线连接，第六PMOS管的漏极与B端口位元线连接；第七PMOS管的栅极与B端口反相位元线连接，第七PMOS管的源极连接电压源，第七PMOS管的漏极与第八PMOS管的源极连接，第八PMOS管的栅极与B端口写入使能控制线连接，第八PMOS管的漏极与A端口位元线连接。

2.根据权利要求1所述的用于双端口静态存储器的写辅助电路，其特征在于，所述双端口存储单元还包括栓锁电路，该栓锁电路的一输入节点耦接至A端口位元线和B端口位元线，该栓锁电路的另一输入节点耦接至A端口反相位元线和B端口反相位元线。