[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置有效
| 申请号： | 201710131890.3 | 申请日： | 2017-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN106847892B | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 张慧;林允植;严允晟 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/45;H01L29/786;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 显示装置 | ||
1.一种薄膜晶体管，包括：源极金属层，在所述源极金属层之上的第一绝缘层，在所述第一绝缘层之上的漏极金属层，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：有源层和欧姆接触层，所述有源层通过所述欧姆接触层与所述源极金属层和所述漏极金属层相连；其中，所述欧姆接触层包括第一欧姆接触层和第二欧姆接触层，所述第一欧姆接触层包括位于所述第一绝缘层两侧第一部分区域和第二部分区域；
所述第二欧姆接触层位于所述第一绝缘层与所述漏极金属层之间；
所述薄膜晶体管还包括：
位于所述有源层之上的第二绝缘层；
位于所述第二绝缘层之上的栅极金属层；
所述第一欧姆接触层和所述第二欧姆接触层在同一工艺流程中形成。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层包括分别位于所述第一绝缘层两侧的第一部分有源层和第二部分有源层，第一部分有源层位于第一欧姆接触层的第一部分区域与第二欧姆接触层之间，第二部分有源层位于第一欧姆接触层的第二部分区域与第二欧姆接触层之间。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层包括非晶硅，和/或所述第一欧姆接触层和所述第二欧姆接触层包括电子型掺杂非晶硅。
4.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1～3任一权利要求所述的薄膜晶体管。
5.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求4所述的阵列基板。
6.一种薄膜晶体管的制备方法，包括：在源极金属层之上设置第一绝缘层；在所述第一绝缘层之上设置漏极金属层，其特征在于，该方法还包括：设置有源层和欧姆接触层，所述有源层通过欧姆接触层与所述源极金属层和所述漏极金属层相连；其中，所述欧姆接触层包括第一欧姆接触层和第二欧姆接触层，所述第一欧姆接触层包括位于所述第一绝缘层两侧第一部分区域和第二部分区域；所述第二欧姆接触层位于所述第一绝缘层与所述漏极金属层之间；
所述方法还包括在所述有源层之上形成第二绝缘层以及在所述第二绝缘层之上形成栅极的步骤；
所述第一欧姆接触层和所述第二欧姆接触层在同一工艺流程中形成。
7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述有源层在形成所述欧姆接触层和漏极金属层之后形成的。
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