[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，该薄膜晶体管包括：源极金属层，位于所述源极金属层之上的第一欧姆接触层，位于所述第一欧姆接触层之上的第一绝缘层，位于所述第一绝缘层之上且与所述第一欧姆接触层接触的有源层，位于所述有源层之上的第二欧姆接触层；位于所述第二欧姆接触层之上的漏极金属层；位于所述漏极金属层之上的第二绝缘层；位于所述第二绝缘层之上的栅极金属层；

其中，所述有源层完全覆盖所述第一绝缘层，且所述有源层在所述第一绝缘层两侧分别与所述第一欧姆接触层接触，所述第一绝缘层在衬底上的投影与所述栅极金属层在衬底上的投影不重合。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层包括非晶硅。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一欧姆接触层和所述第二欧姆接触层包括电子型掺杂非晶硅。

4.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1～3任一权利要求所述的薄膜晶体管。

5.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求4所述的阵列基板。

6.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求5所述的显示面板。

7.一种薄膜晶体管制备方法，其特征在于，该方法包括：

在源极金属层之上设置第一欧姆接触层；

在所述第一欧姆接触层之上设置第一绝缘层；

在所述第一绝缘层之上设置与所述第一欧姆接触层接触的有源层；

在所述有源层之上设置第二欧姆接触层；

在所述第二欧姆接触层之上设置漏极金属层；

在所述漏极金属层之上设置第二绝缘层；

在所述第二绝缘层之上设置栅极金属层；

其中，所述有源层完全覆盖所述第一绝缘层，且所述有源层在所述第一绝缘层两侧分别与所述第一欧姆接触层接触，所述第一绝缘层在衬底上的投影与所述栅极金属层在衬底上的投影不重合。