[发明专利]预金属化电介质层内支撑的金属屏蔽沟槽和金属衬底触点

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底包括用于晶体管的掺杂源极或漏极区域；

接触蚀刻停止层，所述接触蚀刻停止层叠置在所述半导体衬底上；

预金属化电介质层，所述预金属化电介质层叠置在所述接触蚀刻停止层上；

第一沟槽，所述第一沟槽填充有金属材料，所述第一沟槽延伸穿过所述预金属化电介质层并且具有终止于所述接触蚀刻停止层处或之中而没有穿过其的底部；以及

第二沟槽，所述第二沟槽填充有与填充所述第一沟槽的金属材料相同的金属材料，所述第二沟槽延伸穿过所述预金属化电介质层和所述接触蚀刻停止层并且具有终止于所述掺杂源极或漏极区域处或之中而没有穿过其的底部。

2.如权利要求1所述的集成电路，其中，所述半导体衬底进一步包括电容式深沟槽隔离结构，所述电容式深沟槽隔离结构包括导电区域并且进一步包括：

第三沟槽，所述第三沟槽填充有与填充所述第一和第二沟槽的金属材料相同的金属材料，所述第三沟槽延伸穿过所述预金属化电介质层和所述接触蚀刻停止层并且具有终止于所述电容式深沟槽隔离结构的所述导电区域处或之中而没有穿过其的底部。

3.如权利要求2所述的集成电路，进一步包括：

晶体管栅极电极，所述晶体管栅极电极用于所述晶体管；以及

第四沟槽，所述第四沟槽填充有与填充所述第一、第二和第三沟槽的金属材料相同的金属材料，所述第四沟槽延伸进入所述预金属化电介质层中并且具有终止于所述晶体管栅极电极处或之中而没有穿过其的底部。

4.如权利要求1所述的集成电路，其中，所述半导体衬底进一步包括形成光电二极管的掺杂区域，并且其中，填充有所述金属材料的所述第一沟槽在所述光电二极管的外部部分处形成光学屏蔽。

5.如权利要求1所述的集成电路，其中，所述半导体衬底进一步包括形成光电二极管的掺杂区域以及形成电荷存储区的区域，并且其中，填充有所述金属材料的所述第一沟槽在所述光电二极管与所述电荷存储区之间形成光学屏蔽。

6.如权利要求5所述的集成电路，进一步包括金属化层，所述金属化层叠置在所述预金属化电介质层上，所述金属化层包括多条金属线，其中，所述多条金属线中的至少一条与填充所述第一沟槽的所述金属材料相接触，所述多条金属线中的所述至少一条形成覆盖所述电荷存储区的至少一部分的另一光学屏蔽。

7.如权利要求1所述的集成电路，其中，所述半导体衬底进一步包括形成光电二极管的掺杂区域以及形成抗晕光区域的区域，并且其中，填充有所述金属材料的所述第一沟槽在所述光电二极管与所述抗晕光区域之间形成光学屏蔽。

8.如权利要求7所述的集成电路，进一步包括金属化层，所述金属化层叠置在所述预金属化电介质层上，所述金属化层包括多条金属线，其中，所述多条金属线中的至少一条与填充所述第一沟槽的所述金属材料相接触，所述多条金属线中的所述至少一条形成覆盖所述抗晕光区域的至少一部分的另一光学屏蔽。

9.如权利要求1所述的集成电路，其中，所述半导体衬底进一步包括形成第一和第二光电二极管的掺杂区域，并且其中，填充有所述金属材料的所述第一沟槽在所述第一与第二光电二极管之间形成光学屏蔽。

10.如权利要求1所述的集成电路，其中，填充有所述金属材料的所述第一沟槽在光电二极管与所述晶体管之间形成光学屏蔽。