[发明专利]声波设备及其晶圆级封装方法

权利要求书

1.一种声波设备，其特征在于，包括基底和声波器件，其中：

所述基底上设有腔体，所述声波器件与所述基底的上表面结合，以便所述腔体成为密闭腔室；

所述基底的下表面设有声波设备的管脚焊盘，所述声波设备的管脚焊盘通过电镀金属走线与所述声波器件的管脚焊盘连接，其中所述电镀金属走线沿着与所述声波器件的管脚焊盘邻近的基底侧面延伸，所述基底侧面与所述基底的下表面的夹角为钝角。

2.根据权利要求1所述的声波设备，其特征在于，

所述电镀金属走线的材料为金、银、铜、铁、铝、镍、钯或锡。

3.根据权利要求1所述的声波设备，其特征在于，

所述基底的下表面与相邻两个基底侧面的夹角相同。

4.根据权利要求1所述的声波设备，其特征在于，

所述声波设备的管脚焊盘为铝凸柱、铜凸柱或锡球。

5.根据权利要求1所述的声波设备，其特征在于，

所述声波器件通过胶粘方式与所述基底的上表面结合。

6.根据权利要求1所述的声波设备，其特征在于，

所述声波器件的管脚焊盘和所述基底位于所述声波器件的同一表面上。

7.根据权利要求1所述的声波设备，其特征在于，

所述基底的高度大于所述腔体的深度。

8.根据权利要求1所述的声波设备，其特征在于，

所述声波器件包括声表面波SAW滤波器、体声波BAW滤波器或薄膜体声波FBAR滤波器，或者包括声表面波SAW双工器、体声波BAW双工器或薄膜体声波FBAR双工器，或者包括采用SAW、BAW或FBAR技术制造的器件。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的声波设备，其特征在于，还包括基板，其中：

所述基底设置在所述基板上。

10.根据权利要求9所述的声波设备，其特征在于，还包括设置在所述基板上的与所述声波器件异质的电子器件，其中：

电子器件的管脚焊盘与所述声波设备对应的管脚焊盘连接。

11.根据权利要求10所述的声波设备，其特征在于，

电子器件的管脚焊盘具体通过基板金属走线，与所述声波设备对应的管脚焊盘连接。

12.根据权利要求10所述的声波设备，其特征在于，

所述电子器件包括基于GaAs HBT工艺、GaAs pHEMT工艺或GaN工艺的射频功率放大器，基于GaAs pHEMT工艺的低噪声放大器，基于GaAs pHEMT工艺的开关，基于IPD工艺的滤波器中的至少一个。

13.根据权利要求10所述的声波设备，其特征在于，

所述电子器件包括射频功率放大器的驱动级电路、开关电路、电源跟踪和包络跟踪电路、直流-直流转换电路、模数转换电路、数模转换电路中的至少一个。

14.一种声波设备的晶圆级封装方法，其特征在于，包括：

在基底上设置腔体；

将声波器件与所述基底的上表面结合，以便所述腔体成为密闭腔室；

通过电镀金属走线将所述声波设备的管脚焊盘与所述声波器件的管脚焊盘连接，其中所述声波设备的管脚焊盘设置在所述基底的下表面，所述电镀金属走线沿着与所述声波器件的管脚焊盘邻近的基底侧面延伸，所述基底侧面与所述基底的下表面的夹角为钝角。

15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，

所述基底的下表面与相邻两个基底侧面的夹角相同。