[发明专利]一种基于微区再溶解反应的湿度传感器薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种基于微区再溶解反应的湿度传感器薄膜，其特征在于：包括沉积在基底上的先导层薄膜，以及将溶液B以微米级别的微滴滴至先导层薄膜并待溶剂挥发后形成的后进层薄膜。

2.如权利要求1所述的一种基于微区再溶解反应的湿度传感器薄膜，其特征在于：用于制备后进层薄膜的溶液B滴至先导层薄膜时发生再溶解效应，通过化学方法使后进层薄膜的材料与先导层薄膜的材料之间产生复合键合。

3.如权利要求1所述的一种基于微区再溶解反应的湿度传感器薄膜，其特征在于：用于制备先导层薄膜的溶液A中的溶剂与用于制备后进层薄膜的溶液B的溶剂相同；溶液A中的溶质与溶液B的溶质均为可溶性材料，且两种溶质在溶剂作用下可发生化学或离子反应。

4.如权利要求3所述的一种基于微区再溶解反应的湿度传感器薄膜，其特征在于：所述溶液A中的溶质为聚乙烯亚胺、聚醚胺或有机羧酸类，所述溶液B中的溶质为氧化石墨烯、4-二甲氨基吡啶或经羧基化处理的碳纳米管。

5.一种基于微区再溶解反应的湿度传感器薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

①对用于成膜的基底进行清洗；

②在基底表面制备先导层薄膜；

③对先导层薄膜进行干燥处理；

④在先导层薄膜上制备后进层薄膜：将溶液B以微米级别的微滴滴至先导层薄膜上，溶液B中的溶质与先导层薄膜产生化学或离子反应，待溶液B中的溶剂挥发后最终形成后进层薄膜。

6.如权利要求5所述的一种基于微区再溶解反应的湿度传感器薄膜的制备方法，其特征在于：在步骤①中，用于成膜的基底为石英晶体微天平(QCM)、叉指电极(IDE)或柔性基底。

7.如权利要求5所述的一种基于微区再溶解反应的湿度传感器薄膜的制备方法，其特征在于：在步骤②中，采用溶液法在基底表面制备连续的先导层薄膜。

8.如权利要求5所述的一种基于微区再溶解反应的湿度传感器薄膜的制备方法，其特征在于：在步骤④中，溶液B滴至先导层薄膜时发生再溶解效应，通过化学方法使后进层薄膜的材料与先导层薄膜的材料之间产生复合键合。

9.如权利要求8所述的一种基于微区再溶解反应的湿度传感器薄膜的制备方法，其特征在于：溶液A中的溶剂与溶液B的溶剂相同；溶液A中的溶质与溶液B的溶质均为可溶性材料，且两种溶质在溶剂作用下可发生化学或离子反应。