[发明专利]太阳能电池封装材料膜的卷在审
申请号: | 201710134728.7 | 申请日: | 2017-03-08 |
公开(公告)号: | CN107564983A | 公开(公告)日: | 2018-01-09 |
发明(设计)人: | 马蒂亚斯·贝里奎斯特 | 申请(专利权)人: | 博里利斯股份公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/18 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201 | 代理人: | 宋融冰 |
地址: | 奥地利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 封装 材料 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能电池封装材料膜的卷(roll)、用于存储和/或输送包括该卷的太阳能电池封装材料膜的包装、采用所述卷制造光伏模块的方法和通过该方法可获得的太阳能电池和因此特定筒管(bobbin)在太阳能电池封装材料膜的卷中的用途。
背景技术
光伏模块,也被称为太阳能电池模块,在太阳能技术中是已知的。光伏(PV)模块从光产生电且被应用于本领域熟知的各种应用中。光伏模块的类型可以有多种。模块通常具有多层结构,即几层具有不同功能的不同层元件。光伏模块的层元件的层材料和层结构可以变化。最终的光伏模块可以是刚性的或柔性的。该光伏模块通常是通过层压制备的。
光伏模块中的光伏元件(或太阳能电池元件)通常由聚合物封装。通常在层压工艺之前,在太阳能电池元件的至少一侧施加封装材料膜来实现这种封装。更通常的是,在层压工艺之前,将封装材料的膜施加在太阳能电池元件的两侧上。
在存储和输送太阳能电池封装材料膜时,应尽可能避免作为湿度的水的存在。尤其在包括含有硅烷基团的化合物的太阳能电池封装材料膜的情况下。这些硅烷基团可将树脂交联和/或促进聚合物树脂与相邻层(例如与前玻璃层元件、光伏元件和保护性后层元件)的粘附。水的存在导致了过早的交联,使粘度降低并对层压(特别是粘附性)产生了负面影响。
因此,在制造、存储和输送过程中,太阳能电池封装材料膜对水分的暴露应尽可能地低。
发明内容
因此,本发明提供了一种太阳能电池封装材料膜的卷,其中将太阳能电池封装材料膜被卷绕到水分含量为1000ppm以下的筒管上。
令人惊奇地发现,目前用于太阳能电池封装材料膜的卷的纸筒管中所含的湿度(其为50000ppm以上)严重影响了层压后膜的粘附性,特别是在膜含有包含硅烷基团的化合物的情况下。因此,通过采用水分含量为1000ppm以下的筒管,使粘附性能得到明显改善。
筒管的水分含量优选为750ppm以下,更优选为500ppm以下,进一步优选为350ppm以下,最优选为200ppm以下。
筒管通常不含纸和纸板材料,合适地不含纸和纸板。
筒管优选包括聚烯烃(PO1),更优选包括50重量%以上、更优选75重量%以上、最优选90重量%以上的量的聚烯烃(PO1)。
在一个实施方案中,筒管包括至少95重量%、合适地至少97重量%的聚烯烃(PO1)。
常用的添加剂是例如适合于所期望的最终应用并且在本领域技术人员的技术范围内的常规的添加剂,包括但不限于,优选地至少为抗氧化剂和UV光稳定剂,并且还可以包括金属钝化剂、成核剂、澄清剂、增白剂、除酸剂以及增滑剂或滑石等。每种添加剂可以以例如常规量来使用。此类添加剂通常是市售可得的并被描述于例如Hans Zweifel的“Plastic Additives Handbook”,第5版,2001中。
筒管中包括的聚烯烃(PO1)优选为C2至C4α-烯烃均聚物或共聚物,更优选乙烯或丙烯均聚物或共聚物,甚至更优选任选地具有0.01至100g/10min的MFR2(2.16kg,ISO 1133),190℃)的乙烯均聚物或共聚物。
聚烯烃(PO1)的密度通常在910至975kg/m3的范围内,优选地在920至970kg/m3的范围内。
太阳能电池封装材料膜优选包括包含硅烷基团的单元(S)和/或聚烯烃(PO2),更优选地太阳能电池封装材料膜包括包含硅烷基团的单元(S)和聚烯烃(PO2)。在这种情况下,包含硅烷基团的单元(S)和聚烯烃(PO2)可以作为单独的组分(即作为共混物)被包括在太阳能电池封装材料膜中或者包含硅烷基团的单元(S)可以是聚烯烃(PO2)的一部分。在包含硅烷基团的单元(S)是聚烯烃(PO2)的一部分的情况下,通常通过共聚或通过接枝将这些单元引入至聚合物中。一般来说,包含硅烷基团的单元(S)的共聚和接枝是已知的技术,并且在聚合物领域和技术人员的技术中有详细记载,特别是被公开在US 4,413,066、US 4,297,310、US 4,351,876、US 4,397,981、US 4,446,283和US 4,456,704中。
包含硅烷基团的单元(S)优选地是可水解的不饱和硅烷化合物,如式(I)表示:
R1SiR2qY3-q(I)
其中
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的