[发明专利]一种超薄硅的化学切割方法有效
申请号: | 201710135467.0 | 申请日: | 2017-03-09 |
公开(公告)号: | CN107039241B | 公开(公告)日: | 2019-07-05 |
发明(设计)人: | 李绍元;马文会;于洁;万小涵;杨春曦;杨佳;魏奎先;雷云;吕国强;谢克强;伍继君;杨斌;戴永年 | 申请(专利权)人: | 昆明理工大学 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;B28D5/04 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 650093 云*** | 国省代码: | 云南;53 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 超薄 化学 切割 方法 | ||
本发明公开一种超薄硅的化学切割方法,属于材料加工技术领域。本发明所述方法主要是通过借助金属丝线(Au、Pt、Ag、Pd)的催化作用,通过在金属丝线与硅锭之间形成的原电池反应,在化学刻蚀液的作用下,实现金属丝线下方硅料的不断溶解,从而实现硅料的化学切割,与传统物理切割(砂浆切割、金刚线切割)相比,该方法无需外界大型动力设备;贵金属丝线起到的是催化原电池反应的作用,切割过程中不会对其造成损耗;丝线极细,能够实现超薄硅片切割(<30μm)的能力。
技术领域
本发明属于材料加工技术领域,具体涉及一种超薄硅的化学切割方法。
背景技术
太阳能电池是光伏发电的核心部件,硅凭借其在地球近28%的高储存量、合适的能带结构、洁净无污染性、相对成熟的制备工艺和优异的性能稳定性等优势,成为当今世界商品化太阳能电池的主要材料(~93%),在硅基太阳能电池生产过程中,原料硅及切片成本占比高达40%左右。硅片向薄片化和大直径化方向发展、开发新型切片技术无疑对降低光伏发电成本、推动光伏大规模应用具有重要意义。
目前常用的硅料切割技术主要包括砂浆切割技术和金刚线切割技术,与传统砂浆切割技术相比,金刚石线锯切割技术在能耗、硅耗、排放等方面具备成本优势,且该技术还可以最大程度地发挥大切速、细线化、薄切片的技术优势,这些都对进一步降低硅基太阳能电池制备成本具有重要意义,然而无论砂浆切割还是金刚线切割它们均属于物理切割方法,都存在以下问题:(1)切割过程均需要外部设备提供切割动力,(2)切割过程都会对线锯造成消耗,(3)切割硅锭过程不但损耗硅料且会在硅片表面形成损伤层,(4)难以实现超薄硅片的切割。
发明内容
针对现有技术存在的问题,本发明采用微米量级的贵金属丝线(Au、Pt、Ag、Pd),借助其具有的催化作用,通过在金属丝线与硅锭之间形成的原电池反应,在化学刻蚀液的作用下,实现金属丝线下方硅料的不断溶解,从而实现硅料的化学分割,以实现超薄硅片的制备。
本发明所采用的技术方案是:
(1)硅锭清洗,去除硅锭表面油污,备用。
(2)金属丝线细化、活化处理:采用稀硝酸溶液(质量百分比浓度为0.01~10%)对金属丝线进行浸泡处理,完成对金属丝线的细化、活化,所述金属丝线为Au、Pt、Ag或Pd。
(3)刻蚀液配置:选取氢氟酸或氟化铵与氧化剂混合形成刻蚀液。
(4)硅锭化学切割:将金属丝线悬空固定在刻蚀槽中,将清洗后的硅锭置于金属丝线上方,将步骤(3)配置好的刻蚀液倒入刻蚀槽中,并将硅锭及金属丝线完全浸没,以实现金属丝线催化的硅锭化学切割。
(5)硅片后处理:将切割后的薄片浸泡于碱性溶液中,或者HF与氧化剂的混合溶液中进行表面处理,混合溶液中HF的质量百分比浓度为1%~50%,氧化剂的质量百分比浓度为5%~45%,然后采用大量去离子水冲洗、吹干即可,所述氧化剂为H2O2、HNO3、Fe(NO3)3、KMnO4、KBrO3、K2Cr2O7、 Na2S2O8中的一种。
优选的,本发明所述硅锭为单晶硅或者多晶硅;金属丝线的直径在5~50μm之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆明理工大学,未经昆明理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710135467.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种梳棉机
- 下一篇:一种无纺布梳理机吸边装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造