[发明专利]一种薄膜晶体管的电性特征测试方法及装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的电性特征测试方法，其特征在于，包括：

在形成待测试的薄膜晶体管的有源层之后，利用第一预设能量的激光激发所述有源层产生载流子，同时利用第二预设能量的微波信号照射产生载流子的所述有源层，并获取所述有源层对所述第二预设能量的微波信号的反射能量；

根据预先采集的不同的有源层对所述第二预设能量的微波信号的反射能量与薄膜晶体管的电性特征值的对应关系，以及获取的所述有源层对所述第二预设能量的微波信号的反射能量，分析得到待测试的薄膜晶体管的电性特征值。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法还包括：

预先采集不同的有源层对所述第二预设能量的微波信号的反射能量与薄膜晶体管的电性特征值的对应关系。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述有源层的材料为多晶硅；

预先采集不同的有源层对所述第二预设能量的微波信号的反射能量与薄膜晶体管的电性特征值的对应关系，包括：

在采样基板的多个电性特征测试区域形成非晶硅之后，对各电性特征测试区域，采用多种不同的能量的激光进行照射，以形成不同结构的多晶硅；

利用第一预设能量的激光激发各电性特征测试区域的多晶硅产生载流子，同时利用第二预设能量的微波信号照射产生载流子的多晶硅，获取各个电性特征测试区域的多晶硅对第二预设能量的微波信号的反射能量；

形成薄膜晶体管的源漏极之后，利用电性特征测试设备，测量各电性特征测试区域的薄膜晶体管的电性特征值；

利用测量的各电性特征测试区域的电性特征值与多晶硅对第二预设能量的微波信号的反射能量，得到不同的有源层对第二预设能量的微波信号的反射能量与薄膜晶体管的电性特征值的对应关系。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述有源层的材料为非晶硅；

预先采集不同的有源层对所述第二预设能量的微波信号的反射能量与薄膜晶体管的电性特征值的对应关系，包括：

利用不同流量的硅烷SiH₄在多个不同的采样基板上的电性特征测试区域形成非晶硅之后，利用第一预设能量的激光激发各个采样基板上的各电性特征测试区域的非晶硅产生载流子，同时利用第二预设能量的微波信号照射产生载流子的非晶硅，获取各个采样基板上的各电性特征测试区域的非晶硅对第二预设能量的微波信号的反射能量；

形成薄膜晶体管的源漏极之后，利用电性特征测试设备，测量各采样基板上的各电性特征测试区域的薄膜晶体管的电性特征值；

利用测量的各采样基板上的各电性特征测试区域的电性特征值与非晶硅对第二预设能量的微波信号的反射能量，得到不同的有源层对第二预设能量的微波信号的反射能量与薄膜晶体管的电性特征值的对应关系。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成待测试的薄膜晶体管的有源层之后，利用第一预设能量的激光激发有源层产生载流子，包括：

形成覆盖所述有源层的绝缘层之后，利用第一预设能量的激光照射所述绝缘层的表面，以透过所述绝缘层激发所述有源层产生载流子，同时利用第二预设能量的微波信号照射所述绝缘层的表面，以透过所述绝缘层照射产生载流子的有源层，并获取所述有源层对所述第二预设能量的微波信号的反射能量。

6.一种薄膜晶体管的电性特征测试装置，其特征在于，包括：

微波反射能量获取单元，用于在形成待测试的薄膜晶体管的有源层之后，利用第一预设能量的激光激发所述有源层产生载流子，同时利用第二预设能量的微波信号照射产生载流子的所述有源层，并获取所述有源层对所述第二预设能量的微波信号的反射能量；

电性特征分析单元，用于根据预先采集的不同的有源层对所述第二预设能量的微波信号的反射能量与薄膜晶体管的电性特征值的对应关系，以及获取的所述有源层对所述第二预设能量的微波信号的反射能量，分析得到待测试的薄膜晶体管的电性特征值。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，该装置还包括采集单元，用于：

预先采集不同的有源层对所述第二预设能量的微波信号的反射能量与薄膜晶体管的电性特征值的对应关系。