[发明专利]一种In2S3/Zn2GeO4复合可见光催化剂的制备方法及应用在审

专利信息
申请号: 201710135536.8 申请日: 2017-03-08
公开(公告)号: CN106824227A 公开(公告)日: 2017-06-13
发明(设计)人: 闫涛;吴廷廷;崔一哲;蒋冠宇;张伦文;孙蒙;闫良国;杜斌 申请(专利权)人: 济南大学
主分类号: B01J27/04 分类号: B01J27/04;C02F1/30;C02F101/38
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 250022 山*** 国省代码: 山东;37
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 in2s3 zn2geo4 复合 可见 光催化剂 制备 方法 应用
【说明书】:

技术领域

发明属于环境污染治理技术领域,具体涉及一种In2S3/Zn2GeO4复合可见光催化剂的制备方法及其应用。

背景技术

随着洗化行业及医疗的迅猛发展,个人护理品及药物在环境中的污染和残留正引起广泛的关注。日常生活中,消耗大量的洗化用品和药物使得对乙酰氨基酚持续进入环境,导致其在环境中的残留浓度呈上升趋势,并逐渐显现出对动植物以及微生物的生态毒性,尤其对水环境产生极大的危害。目前对环境中对乙酰氨基苯酚的去除方法研究已成为热点。

光催化技术是近年发展起来的一项以环境污染治理为应用背景的高新技术。现如今,光催化技术的应用领域已经渗入到人类生活的方方面面,包括抗菌、大气净化、水处理等。大量研究表明,光催化能有效的降解卤化物、染料、农药、酚类等有机物。光催化技术催化活性和稳定性高,环境友好,价格便宜,在环境污染控制领域大有作为。

发明内容

本发明的目的在于针对技术背景中存在的问题,提供一种In2S3/Zn2GeO4复合可见光催化剂的制备方法及其应用。通过水热法制备了In2S3/Zn2GeO4复合可见光催化剂材料,将电子-空穴分离效率高的宽禁带半导体与宽光谱吸收的窄禁带半导体进行复合,解决现有技术中光催化剂光响应范围窄、电子-空穴分离效率较低的问题。通过对乙酰氨基酚的降解考察了催化剂的催化活性。该制备方法简单易行、合成条件较温和,具有一定的普适性。

本发明的技术方案如下:

(1)Zn2GeO4制备Zn2GeO4纳米带,磁力搅拌下,将0.05 ~ 0.2 g CTAB、0.26 ~ 1.04 g GeO2和0.55 ~ 2.2 g Zn(CH3COO)2∙2H2O加入到30 mL去离子水中,超声分散均匀,用3 mM的NaOH溶液调节其pH为8,得到白色悬浊液;将上述白色悬浊液转移到50 mL高压反应釜中,置于烘箱中,于180 ~ 220 °C下反应18 ~ 24 h;待反应完毕高压反应釜逐渐冷却到室温后,取出样品,用无水乙醇和去离子水分别洗涤3次,将产物置于60 °C烘箱中干燥;

(2)In2S3/Zn2GeO4复合可见光催化剂的制备

采用水热法制备In2S3/Zn2GeO4复合可见光催化剂,控制In2S3与Zn2GeO4纳米带一定的质量比条件下,将一定质量的Zn2GeO4纳米带溶于6 mL 0.1 M的InCl3溶液中,超声分散20分钟得到悬浊液A;在磁力搅拌下将8 mL 0.15 M的Na2S逐滴加入到上述悬浊液A中,将所得混合液转移到25 mL高压反应釜中,于160 ~ 200 °C下反应14 ~ 18 h;待高压反应釜逐渐冷却到室温后,取出产物,用乙醇和去离子水分别洗涤3次,将产物置于鼓风干燥箱中,60 °C下烘干;

上述所述一种In2S3/Zn2GeO4复合可见光催化剂的制备方法,(2)中所述In2S3与Zn2GeO4的一定的质量比为0.1 ~ 0.5︰1;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于济南大学,未经济南大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710135536.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top