[发明专利]一种3D NAND存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种3D NAND存储器件，其特征在于，包括：

基底；

基底上的沿位线方向依次排布的第一存储区、通孔形成区和第二存储区，第一存储区和第二存储区包括存储堆叠层以及存储堆叠层中的沟道孔；

在第一存储区和第二存储区之间设置有通孔形成区，通孔形成区包括氧化物层和氮化物层间隔堆叠的通孔堆叠层，贯穿通孔堆叠层的贯通接触孔以及通孔堆叠层的侧壁上的绝缘层；

设置于第一存储区和第二存储区的栅线缝隙。

2.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，在第一存储区和第二存储区中靠近通孔形成区的部分为伪存储区。

3.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，第一存储区和第二存储区包括：

块堆叠层，所述块堆叠层包括沿字线方向依次排布的第一区域、第二区域和第三区域；其中，

所述第二区域位于所述第一区域和第三区域之间，所述第二区域中形成有贯通的绝缘环，所述绝缘环内的块堆叠层为相互间隔堆叠的氧化物层和氮化物层，贯穿所述绝缘环内的块堆叠层的贯通接触孔；

所述绝缘环外的第二区域以及第一区域、第三区域的块堆叠层为相互间隔堆叠的氧化物层和金属层，块堆叠层中的顶层金属层为顶层选择栅，所述第一区域和第三区域中形成有沟道孔，第一区域和第三区域中的块堆叠层为存储堆叠层；

栅线缝隙设置在绝缘环外的块堆叠层中。

4.根据权利要求3所述的存储器件，其特征在于，所述块堆叠层还包括位于所述第一区域和第二区域之间的第四区域，以及位于所述第二区域和第三区域之间的第五区域，所述第四区域和第五区域的块堆叠层为相互间隔堆叠的氧化物层和金属层且上两层金属层为顶层金属层阶梯结构；

第一区域、第四区域以及第三区域、第五区域的块堆叠层中设置有沿字线方向延伸至所述绝缘环的一对相互平行栅线缝隙，沿与栅线缝隙垂直的方向所述绝缘环的边界至少延伸到一对相互平行的栅线缝隙之外的区域；

通过所述顶层金属层阶梯结构将所述绝缘环两侧的平行的栅线缝隙之间的所述第一区域和第三区域的顶层选择栅电连接。

5.根据权利要求3所述的存储器件，其特征在于，第一区域以及第三区域的块堆叠层中设置有沿字线方向延伸至所述绝缘环的一对相互平行栅线缝隙，沿与栅线缝隙垂直的方向所述绝缘环的边界至少延伸到一对相互平行的栅线缝隙之外的区域；所述第一区域和第三区域的外侧为块堆叠层的阶梯结构，通过所述块堆叠层的阶梯结构将所述绝缘环两侧的平行的栅线缝隙之间的所述第一区域和第三区域的顶层选择栅电连接。

6.根据权利要求3所述的存储器件，其特征在于，所述绝缘环设置于相互平行的相邻的栅线缝隙之间的第二区域中，所述相互平行的相邻的栅线缝隙连续贯穿第一区域、第二区域和第三区域。

7.根据权利要求3所述的存储器件，其特征在于，所述绝缘环设置于相互平行的相邻的栅线缝隙之间，所述相互平行的相邻的栅线缝隙穿过第一区域、第二区域和第三区域，且至少有一条栅线缝隙在第二区域处具有间断区。

8.根据权利要求3所述的存储器件，其特征在于，所述绝缘环之外的第二区域的块堆叠层中形成有伪沟道孔。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的存储器件，其特征在于，所述基底包括第一衬底及第一衬底之上的外延衬底，第一衬底中形成了CMOS器件电路以及第一互联结构，所述贯通接触孔进一步贯穿外延衬底至第一衬底中的第一互联结构。