[发明专利]一种发光二极管、阵列基板、发光器件及显示装置

说明书

本发明实施例提供一种发光二极管、阵列基板、发光器件及显示装置，涉及电致发光技术领域，可解决电子和空穴注入不平衡的问题。该发光二极管包括依次设置的阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极，所述发光二极管还包括设置在所述阳极远离所述空穴传输层一侧的第一辅助电极和第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述第一辅助电极和所述阳极之间；和/或，所述发光二极管还包括设置在所述阴极远离所述电子传输层一侧的第二绝缘层和第二辅助电极，所述第二绝缘层位于所述第二辅助电极和所述阴极之间。用于解决发光二极管中电子和空穴注入不平衡的问题。

技术领域

本发明涉及电致发光技术领域，尤其涉及一种发光二极管、阵列基板、发光器件及显示装置。

背景技术

发光二极管是一种由电流直接激发发光的器件，目前的发光二极管包括量子点电致发光二极管(Quantum dot light-emitting diode，简称QLED)和有机电致发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)。

图1为现有发光二极管的结构示意图。如图1所示，发光二极管的结构包括依次设置的阳极10、空穴传输层20、发光层30、电子传输层40和阴极50。发光二极管的发光原理为：在电场作用下，空穴由阳极10注入到发光层30的价带并向阴极50迁移，电子由阴极50 注入到发光层30的导带并向阳极10迁移。空穴和电子注入到发光层 30的价带和导带能级时在库仑力作用下形成激子(电子-空穴对)，激子态的电子发生辐射跃迁，能量以光子形式释放，从而实现电致发光。

然而，当发光二极管为QLED时，发光层30的材料为量子点发光材料，示例的，若空穴传输层20材料的HOMO(最高占据分子轨道) 能级位于5.0～6.0eV，量子点价带能级位于6.0～7.0eV，因而空穴传输层20和量子点发光层30界面处存在较大的空穴注入势垒，由于电子传输层40材料如ZnO纳米粒子的导带能级接近量子点导带能级，从而会存在电子和空穴注入不平衡的问题。而发光强度与电子和空穴的浓度的乘积成正比，当电子和空穴浓度相同时，发光强度最大；当电子和空穴的浓度相差越大时，发光强度越小，且多余的载流子会造成焦耳热，缩短器件的寿命。

当发光二极管为OLED时，发光层30的材料为有机电致发光材料，载流子的注入能力与材料的迁移率及其施加于其上的电压平方成正比，与电子传输层40或空穴传输层20的厚度成反比，在有机电致发光二极管中，电子传输层40与空穴传输层20的厚度都约为几十个 nm，量级相同，且在有机电致发光二极管中，当阳极10和阴极50 施加电压时，可近似认为电场强度均匀的落在电子传输层40与空穴传输层20上，但是若电子传输层40材料的迁移率小于空穴传输层 20材料的迁移率，因而会导致电子和空穴注入不平衡，从而影响了有机电致发光二极管的发光效率和寿命。

发明内容

本发明的实施例提供一种发光二极管、阵列基板、发光器件及显示装置，可解决电子和空穴注入不平衡的问题。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

第一方面，提供一种发光二极管，包括依次设置的阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极，所述发光二极管还包括设置在所述阳极远离所述空穴传输层一侧的第一辅助电极和第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述第一辅助电极和所述阳极之间；和/或，所述发光二极管还包括设置在所述阴极远离所述电子传输层一侧的第二绝缘层和第二辅助电极，所述第二绝缘层位于所述第二辅助电极和所述阴极之间。

优选的，所述阳极和/或所述阴极具有网状结构或多孔结构。

优选的，所述发光二极管还包括设置在所述阳极和所述空穴传输层之间的空穴注入层和/或设置在所述阴极和所述电子传输层之间的电子注入层。

进一步优选的，在所述发光二极管还包括空穴注入层和电子注入层时，所述空穴传输层、所述空穴注入层、所述电子注入层和所述电子传输层的厚度均在1～200nm的范围内。