[发明专利]超结VDMOS器件及其制备方法

权利要求书

1.一种超结VDMOS器件，分为原胞区、位于所述原胞区外周的终端区以及位于所述终端区外周的截止区；其特征在于，所述超结VDMOS器件包括：

具有第一导电类型的衬底；

具有第一导电类型的第一外延层，作为漂移区，位于所述衬底上；

第二导电类型柱，位于所述原胞区的所述第一外延层中以及所述终端区的所述第一外延层中；

具有第一导电类型的第一注入区，位于所述原胞区的所述第一外延层上；所述第一注入区的掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高；

具有第一导电类型的第二外延层，位于所述终端区的所述第一外延层上；所述第二外延层的掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度低；所述第二外延层的掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度低1～2个数量级；

具有第一导电类型的第二注入区，位于所述截止区的所述第一外延层上；所述第二注入区的掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高；所述第一注入区与所述第二注入区形成在所述第二外延层中；

具有第二导电类型的体区，位于所述原胞区的所述第二导电类型柱上；

具有第二导电类型的场环，位于所述终端区的所述第二导电类型柱上。

2.根据权利要求1所述的超结VDMOS器件，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。

3.根据权利要求1所述的超结VDMOS器件，其特征在于，所述第一注入区的掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高1～2个数量级；

所述第二注入区的掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高1～2个数量级。

4.根据权利要求3所述的超结VDMOS器件，其特征在于，所述衬底的掺杂浓度比所述第一注入区的掺杂浓度高，且所述衬底的掺杂浓度比所述第二注入区的掺杂浓度高。

5.根据权利要求1所述的超结VDMOS器件，其特征在于，所述场环为分压环。

6.根据权利要求1所述的超结VDMOS器件，其特征在于，包括多个所述场环；所述多个场环中相邻场环之间的间距在指向所述截止区的方向上递增。

7.一种超结VDMOS器件的制备方法，其中，所述超结VDMOS器件分为分为原胞区、位于所述原胞区外周的终端区以及位于所述终端区外周的截止区；其特征在于，所述超结VDMOS器件的制备方法包括：

在具有第一导电类型的衬底上制备具有第一导电类型的第一外延层，作为漂移区；

在所述第一外延层上制备第二导电类型柱元阵列，得到第一中间结构；

在所述第一中间结构上制备具有第一导电类型的第二外延层；所述第二外延层的掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度低；所述第二外延层的掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度低1～2个数量级；

在所述终端区的所述第二外延层上制备具有第二导电类型的场环，并向所述场环中注入第二导电类型的掺杂杂质，得到第二中间结构；

在所述第二中间结构上制备氧化层，得到第三中间结构；

在所述第三中间结构的所述原胞区，光刻、腐蚀所述氧化层，得到第四中间结构；

在所述第四中间结构上制备具有第一导电类型的第一注入区、具有第一导电类型的第二注入区，得到第五中间结构；所述第一注入区位于所述原胞区的所述第一外延层上；所述第一注入区的掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高；所述第二注入区位于所述截止区的所述第一外延层上；所述第二注入区的掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高；所述第一注入区与所述第二注入区形成在所述第二外延层中；

在所述第五中间结构上经高温推阱处理，使所述第二导电类型柱元阵列形成第二导电类型柱；所述场环位于所述终端区的所述第二导电类型柱上；

在所述第一注入区制备具有第二导电类型的体区；所述体区位于所述原胞区的所述第二导电类型柱上；

其中，制备所述第一外延层、所述第二导电类型柱元阵列以及所述第二外延层位于制备所述终端区中的所述场环、所述原胞区的第一注入区、所述截止区中的第二注入区之前。

8.根据权利要求7所述的超结VDMOS器件的制备方法，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。