[发明专利]一种芯片的封装方法

说明书

本发明实施例公开了一种芯片的封装方法，该芯片的封装方法包括：提提供一器件晶圆，器件晶圆的正面具有至少一个功能区和围绕功能区的至少一个布线区，布线区设置有多个焊盘；提供与所述至少一个功能区分别对应设置的至少一个盖玻晶片，将盖玻晶片的正面与器件晶圆上的对应功能区键合；切割器件晶圆以形成至少一个芯片。本发明实施例提供的芯片及其封装方法，盖玻晶片与对应的功能区实现了键合，则布线区的焊盘直接裸露在外，由此实现芯片气密性封装的同时利用晶圆级工艺实现晶圆级焊盘引出，无需采用TSV制程，降低了工艺复杂度和封装成本。

技术领域

本发明实施例涉及芯片封装技术，尤其涉及一种芯片的封装方法。

背景技术

晶圆级封装(Wafer Level Package，WLP)工艺是以晶圆为加工对象，在晶圆上同时对众多芯片进行封装、老化、测试，最后切割成单个芯片，芯片可以直接贴装到基板或印刷电路板上。采用晶圆级封装工艺可以将封装尺寸减小至芯片的尺寸，大幅降低了封装后的芯片尺寸。

现有的晶圆级封装工艺中，晶圆上众多芯片的焊盘均被覆盖膜层覆盖，多采用硅穿孔(Through Si via，TSV)技术进行焊盘引出。具体的，在覆盖层的对应焊盘的区域形成硅穿孔，硅穿孔露出焊盘表面，在硅穿孔中形成导电材料即可实现将芯片的焊盘引出。

在晶圆级封装工艺中采用硅穿孔技术引出芯片焊盘，工艺复杂且成本较高。

发明内容

本发明实施例提供一种芯片的封装方法，以解决现有封装工艺中工艺复杂且成本高的问题。

第一方面，本发明实施例提供了一种芯片的封装方法，该封装方法包括：

提供一器件晶圆，所述器件晶圆的正面具有至少一个功能区和围绕所述功能区的至少一个布线区，所述布线区设置有多个焊盘；

提供与所述至少一个功能区分别对应设置的至少一个盖玻晶片，将所述盖玻晶片的正面与所述器件晶圆上的对应所述功能区键合；

切割所述器件晶圆以形成至少一个芯片。

进一步地，所述器件晶圆为微机电系统晶圆，所述功能区设置有微机电系统元件和线路。

进一步地，所述器件晶圆的功能区具有第一凹槽，所述第一凹槽内设置有所述微机电系统元件和线路。

进一步地，提供与所述至少一个功能区分别对应设置的至少一个盖玻晶片，将所述盖玻晶片的正面与所述器件晶圆上的对应所述功能区键合，包括：

提供一盖玻晶圆，所述盖玻晶圆的正面设置有至少一个第二凹槽；

将所述器件晶圆的正面和所述盖玻晶圆的正面键合，以使所述至少一个第二凹槽在垂直于所述器件晶圆方向上的投影覆盖所述多个焊盘且不与所述功能区交叠；

减薄所述盖玻晶圆的背面至所述第二凹槽的槽底以形成至少一个所述盖玻晶片，使所述盖玻晶片的正面与所述器件晶圆上的对应所述功能区键合且所述多个焊盘裸露。

第二方面，本发明实施例还提供了一种芯片，该芯片包括：

器件晶圆，所述器件晶圆的正面具有至少一个功能区和围绕所述功能区的至少一个布线区，所述布线区设置有多个焊盘；

位于所述器件晶圆上的至少一个盖玻晶片，所述至少一个盖玻晶片与所述至少一个功能区分别对应设置，以及所述盖玻晶片的正面与所述器件晶圆上的对应所述功能区键合；

切割所述器件晶圆后形成的至少一个芯片。