[发明专利]烧结钕铁硼磁体的制备方法在审
申请号: | 201710138636.6 | 申请日: | 2017-03-09 |
公开(公告)号: | CN106992051A | 公开(公告)日: | 2017-07-28 |
发明(设计)人: | 汤密军 | 申请(专利权)人: | 京磁材料科技股份有限公司 |
主分类号: | H01F1/057 | 分类号: | H01F1/057;H01F41/02;B22F3/10;B22F3/24 |
代理公司: | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙)11369 | 代理人: | 史霞 |
地址: | 101300 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 烧结 钕铁硼 磁体 制备 方法 | ||
1.烧结钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
将烧结后的钕铁硼磁体毛坯自然冷却至400℃-700℃后,通入保护气体进行淬火冷却。
2.如权利要求1所述的烧结钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于,所述钕铁硼磁体的烧结温度为1039℃-1090℃。
3.如权利要求2所述的烧结钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于,所述淬火冷却后还进行一级回火,升温至回火保温温度900℃后进行回火保温,回火保温时间为3-10小时,之后自然冷却至70℃-80℃后,通入保护气体进行回火冷却。
4.如权利要求2或3所述的烧结钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于,所述保护气体为氩气或氮气。
5.如权利要求1所述的烧结钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于,烧结时分为四个阶段:
第一阶段,升温至第一温度T1,第一保温时间为t1;
第二阶段,升温至第二温度T2,第二保温时间为t2;
第三阶段,升温至第三温度T3,第三保温时间为t3;
第四阶段,升温至第四温度T4,第四保温时间为t4。
6.如权利要求5所述的烧结钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于,
所述第一温度T1为200-300℃,所述第一保温时间t1为2-3小时;
所述第二温度T2为400-500℃,所述第二保温时间t2为2-3小时;
所述第三温度T3为800-900℃,所述第三保温时间t3为2-3小时;
所述第四温度T4为1030-1070℃,所述第四保温时间t4为5-10小时。
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