[发明专利]烧结钕铁硼磁体的制备方法在审

专利信息
申请号: 201710138636.6 申请日: 2017-03-09
公开(公告)号: CN106992051A 公开(公告)日: 2017-07-28
发明(设计)人: 汤密军 申请(专利权)人: 京磁材料科技股份有限公司
主分类号: H01F1/057 分类号: H01F1/057;H01F41/02;B22F3/10;B22F3/24
代理公司: 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙)11369 代理人: 史霞
地址: 101300 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 烧结 钕铁硼 磁体 制备 方法
【权利要求书】:

1.烧结钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

将烧结后的钕铁硼磁体毛坯自然冷却至400℃-700℃后,通入保护气体进行淬火冷却。

2.如权利要求1所述的烧结钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于,所述钕铁硼磁体的烧结温度为1039℃-1090℃。

3.如权利要求2所述的烧结钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于,所述淬火冷却后还进行一级回火,升温至回火保温温度900℃后进行回火保温,回火保温时间为3-10小时,之后自然冷却至70℃-80℃后,通入保护气体进行回火冷却。

4.如权利要求2或3所述的烧结钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于,所述保护气体为氩气或氮气。

5.如权利要求1所述的烧结钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于,烧结时分为四个阶段:

第一阶段,升温至第一温度T1,第一保温时间为t1;

第二阶段,升温至第二温度T2,第二保温时间为t2;

第三阶段,升温至第三温度T3,第三保温时间为t3;

第四阶段,升温至第四温度T4,第四保温时间为t4。

6.如权利要求5所述的烧结钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于,

所述第一温度T1为200-300℃,所述第一保温时间t1为2-3小时;

所述第二温度T2为400-500℃,所述第二保温时间t2为2-3小时;

所述第三温度T3为800-900℃,所述第三保温时间t3为2-3小时;

所述第四温度T4为1030-1070℃,所述第四保温时间t4为5-10小时。

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