[发明专利]一种硅单晶提拉炉

权利要求书

1.一种硅单晶提拉炉，其包括坩埚、加热器、旋转支撑组件及保温隔热材料，所述坩埚内设置有硅熔体，所述坩埚配套设置有用于对其加热的加热器，所述旋转支撑组件连接于所述坩埚上为坩埚提供支撑和旋转驱动，其特征在于，所述坩埚底部的中心处设置有冷点，所述冷点上设置有降温装置。

2.根据权利要求1所述的硅单晶提拉炉，其特征在于，所述旋转支撑组件包括支撑座和支撑柱，所述坩埚设置于所述支撑座上，所述支撑柱为空心结构，其一端连接于所述支撑座上，所述降温装置包括设置于所述支撑柱内的导热块和冷却装置。

3.根据权利要求2所述的硅单晶提拉炉，其特征在于，所述支撑柱外包覆有隔热保温层。

4.根据权利要求2或3所述的硅单晶提拉炉，其特征在于，所述冷却装置采用冷却套筒，所述冷却套筒内通入换热介质。

5.根据权利要求2或3所述的硅单晶提拉炉，其特征在于，所述冷却装置采用冷却棒，所述冷却棒可移动地设置于所述支撑柱内，当晶体生长时，根据工艺要求，冷却棒逐步伸入支撑柱内。

6.根据权利要求4所述的硅单晶提拉炉，其特征在于，所述换热介质为气体，所述导热块的一端紧贴所述坩埚的底部，另一端紧贴所述冷却装置。

7.根据权利要求4所述的硅单晶提拉炉，其特征在于，所述换热介质为液体，所述导热块和冷却套筒可升降地设置于所述支撑柱内，在放肩工艺前，所述导热块与所述坩埚底部存在间隙。

8.根据权利要求1所述的硅单晶提拉炉，其特征在于，所述加热器设置于所述坩埚的外围，所述加热器的外围设置有隔热保温层。

9.根据权利要求1所述的硅单晶提拉炉，其特征在于，所述坩埚的上方设置有导流筒。

10.根据权利要求1所述的硅单晶提拉炉，其特征在于，所述坩埚上方的硅单晶棒外围设置有水冷套。