[发明专利]基于薄膜闪烁体和光纤阵列的实时电子谱仪

权利要求书

1.一种基于薄膜闪烁体和光纤阵列的实时电子谱仪，其特征在于，包括：电子准直装置(9)、均匀磁场装置(8)、闪烁体(10)、光纤线面转换阵列以及成像系统；所述均匀磁场装置(8)、电子准直装置(9)以及闪烁体(10)设置在电子谱仪主体部分(2)内；

所述均匀磁场装置(8)包括：平行磁铁和壳体，所述平行磁铁包括两块相对的具有异名磁极的磁铁，该磁铁为NdFeB粘结永磁材料，由平行磁铁生成的磁场成梯形分布，且平行磁铁的磁场方向与电子准直装置(9)的轴向相互垂直；其中磁场均匀区域的磁场大小为0.12Tesla；所述壳体的材料是低碳钢。

2.根据权利要求1所述的基于薄膜闪烁体和光纤阵列的实时电子谱仪，其特征在于，所述电子谱仪主体部分(2)在电子准直装置(9)的轴向上有一个同轴孔，该同轴孔的直径为3mm。

3.根据权利要求1所述的基于薄膜闪烁体和光纤阵列的实时电子谱仪，其特征在于，所述电子准直装置(9)的制作材料为A3钢，内孔径为3mm，长度为30mm。

4.根据权利要求1所述的基于薄膜闪烁体和光纤阵列的实时电子谱仪，其特征在于，所述闪烁体(10)紧贴在线光纤阵列上，且所述闪烁体(10)所在的平面位于电子准直装置(9)的下方位置并与电子准直装置(9)的轴向呈45度夹角。

5.根据权利要求1所述的基于薄膜闪烁体和光纤阵列的实时电子谱仪，其特征在于，所述光纤线面转换阵列的一端是均匀排布的线光纤线阵列(11)；所述光纤线面转换阵列另一端是均匀排布的面光纤面阵列(4)；所述线光纤阵列(11)伸入到磁铁内部的均匀磁场区域并于闪烁体(10)紧贴。

6.根据权利要求1所述的基于薄膜闪烁体和光纤阵列的实时电子谱仪，其特征在于，所述成像系统包括成像镜头配合16位高动态范围的sCMOS或CCD对面光纤阵列(4)进行成像。