[发明专利]高饱和集成波导探测器

权利要求书

1.一种高饱和集成波导探测器，其包括上波导层(1)和下波导层(2)，所述上波导层(1)包括层叠设置的N型掺杂层(11)和Si晶体层(12)，下波导层(2)包括P型掺杂层(21)和硅衬底(22)，所述Si晶体层(12)和P型掺杂层(21)表面相互接触，N型掺杂层(11)和P型掺杂层(21)表面分别设置有金属电极(3)，其特征在于：还包括一导光波导(4)，所述导光波导(4)与上波导层(1)相互耦合。

2.如权利要求1所述的高饱和集成波导探测器，其特征在于：所述导光波导(4)与上波导层(1)呈条状，相互处于同一水平面内。

3.如权利要求2所述的高饱和集成波导探测器，其特征在于：定义靠近导光波导(4)光输入部位的一端为前端，远离导光波导(4)光输入部位的一端为后端，前端与上波导层(1)之间的间距大于后端。

4.如权利要求3所述的高饱和集成波导探测器，其特征在于：所述上波导层(1)与导光波导(4)之耦合面上各点所接收到的功率相等。

5.如权利要求1所述的高饱和集成波导探测器，其特征在于：所述导光波导(4)采用的导波材料包括锗、硅、氧化硅或Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料。

6.如权利要求1所述的高饱和集成波导探测器，其特征在于：所述金属电极(3)材料包括Al、Au、Ni或Ti。