[发明专利]无机金属化合物、含其的组合物、器件和装置及制作方法

说明书

本发明提供了一种无机金属化合物、含其的组合物、器件和装置及制作方法。该无机金属化合物用于光电器件的第一载流子传输层，上述无机金属化合物是由无机半导体纳米晶与螯合剂经过螯合反应得到的螯合物，第一载流子包括电子或空穴。采用该无机金属化合物可增加材料稳定性，由于在螯合反应时螯合剂与无机半导体纳米晶的活性位点进行配位，形成了具有稳定结构的螯合物，使无机半导体纳米晶表面的活性位点的活性降低或失活，降低了该活性位点接受外界电子或空穴的能力，使量子点发光层的电子或空穴不易被上述活性位点抽走，减少了量子点的荧光淬灭，解决了现有无机载流子传输材料易导致量子点发光层荧光淬灭的问题，提高了光电器件的发光效率。

技术领域

本发明涉及发光器件技术领域，具体而言，涉及一种无机金属化合物、含其的组合物、器件和装置及制作方法。

背景技术

在量子点发光二极管(Quantum Dot Light-Emitting Diode，简称QLED)中，为了使电子和空穴注入平衡，通常在器件中引入一层载流子传输层，来加快电荷的传输和注入速率，例如加入一层空穴传输层，来加快空穴的传输速率。常用的形成载流子传输层的材料包括有机载流子传输材料和无机载流子传输材料，因为有机载流子传输层如聚乙烯咔唑(PVK)对环境敏感而不稳定，不适合生产应用，所以一般选用更为稳定的无机载流子传输材料，如无机金属化合物NiO，但无机载流子传输材料(由于具有较好的迁移率，会把量子点的空穴抽走，阻碍电子和空穴的复合)容易导致量子点发光层荧光淬灭，这直接影响发光器件的发光效率。

为了解决上述的无机空穴传输材料易引起荧光猝灭的问题，现有技术通常采用在加入载流子传输层后，再加入一个绝缘的阻挡层(如PMMA阻挡层)，以期阻挡多余电荷注入至量子点发光层，但这种方案由于增加了绝缘阻挡层的制备工艺，增加了原有工艺的复杂度，提高了生产成本，不适合大规模生产。

因此，无机载流子传输材料易导致量子点发光层荧光淬灭的问题亟待解决。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种无机金属化合物、含其的组合物、器件和装置及制作方法，以解决现有技术中无机载流子传输材料易导致量子点发光层荧光淬灭的问题。

为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种无机金属化合物，所述无机金属化合物用于光电器件的第一载流子传输层，所述无机金属化合物是由无机半导体纳米晶与螯合剂经过螯合反应得到的螯合物，其中，第一载流子包括电子或空穴。

进一步地，所述无机半导体纳米晶选自NiOx纳米晶、p型ZnO纳米晶、CuO纳米晶、Cu₂O纳米晶、Fe₃O₄纳米晶、FeO纳米晶、V₂O₅纳米晶、MnTiO₃纳米晶、BaTiO₃纳米晶、HgS纳米晶、PbS纳米晶与SnS纳米晶中的一种或多种，其中，1≤x≤2。

进一步地，所述螯合剂为带有多个配位体基团的多齿配合物，所述配位体基团选自氨基、羟基、巯基、磷酸基、羧基与氰基中的一种或多种。

进一步地，所述螯合剂为一种或多种，所述螯合剂包括氨基羧酸类螯合剂中的一种或多种，和/或包括乙二胺。

进一步地，所述螯合剂的种类包括一种或多种，当所述螯合剂的种类为一种时，所述螯合剂对金属原子的螯合稳定常数大于5，或当所述螯合剂的种类为多种时，多种所述螯合剂的组合对金属原子的螯合稳定常数大于5；其中，所述无机半导体纳米晶包括所述金属原子。

根据本发明的第二方面，提供了一种组合物，该组合物包括上述的无机金属化合物。