[发明专利]用于自适应读取电平调节的系统和方法

说明书

使用第一读取电平电压从闪存中读取所请求数据。从所述读取的所请求数据中确定第一位值错误的数量和第二位值错误的数量。将所述第一位值错误的数量与所述第二位值错误的数量的错误比率与错误比率范围进行比较。基于所述错误比率与所述错误比率范围的所述比较调节所述第一读取电平电压。

背景技术

本公开涉及如闪存等固态存储器，并且具体地涉及调节用于读取存储在固态存储器中的数据的读取电平。随着闪存寿命或者数据保留次数的增加，闪存单元的编程电平分布趋于分散和移位，导致增大的读取错误比率。随着闪存寿命或者数据保留次数的增加而调节读取电平可以降低读取错误比率。然而，许多读取电平调节算法在确定何时进行调节以及如何进行调节方面不是有效的。

发明内容

本主题技术涉及一种用于管理数据存储系统的方法，所述方法包括：使用第一读取电平电压从闪存中读取所请求数据；确定所述读取的所请求数据中的第一位值错误(first bit-value error)的数量和第二位值错误(second bit-value error)的数量；以及将所述第一位值错误的数量与所述第二位值错误的数量的错误比率与错误比率范围进行比较。在某些方面，所述数据存储系统可以进一步包括：基于所述错误比率与所述错误比率范围的所述比较调节所述第一读取电平电压。

在某些方面，本主题技术涉及一种数据存储系统，所述数据存储系统包括：闪存；控制器，所述控制器被配置成用于执行一种用于控制所述数据系统的方法。所述控制器可以被进一步配置成用于执行以下操作：使用第一读取电平电压从所述闪存中的块中读取并解码所请求数据的多个码字；在已经读取并解码目标数量的码字之后，确定所述读取的所请求数据中的第一位值错误的数量和第二位值错误的数量；将所述第一位值错误的数量与所述第二位值错误的数量的错误比率与错误比率范围进行比较；以及基于所述错误比率与所述错误比率范围的所述比较调节所述第一读取电平电压。

应理解的是，根据下面的具体实施方式，其中通过说明示出并描述了本公开的各种配置，本公开的其他配置将变得对本领域技术人员易于显而易见。如将认识到的，本公开能够有其他且不同的配置，并且其若干细节能够在各种其他方面被修改，所有均不会背离本公开的范围。因此，附图和具体实施方式应被认为是实际上说明性而非限制性的。

附图说明

图1是框图，描绘了根据本主题技术的各方面的数据存储系统的部件。

图2包括根据本主题技术的各方面的MLC闪存的四个编程电平之间的单元分布的示例曲线图以及展示LSB读取错误、不同读取电平电压、和LSB错误比率之间的关系的示例曲线图。

图3描绘了根据本主题技术的各方面的示出总LSB读取错误和读取电平电压之间的关系的示例曲线图。

图4描绘了根据本主题技术的各方面的用于管理数据存储系统的示例过程的流程图。

图5描绘了根据本主题技术的各方面的用于调节读取电平电压的示例过程的流程图。

图6描绘了根据本主题技术的各方面的用于校准并调节读取电平电压的示例过程的流程图。

图7描绘了根据本主题技术的各方面的用于优化读取电平电压的示例过程的流程图。

图8描绘了根据本主题技术的各方面的用于校准并调节读取电平电压的示例过程的流程图。

具体实施方式

在下面阐述的具体实施方式意在作为本公开的各种配置的描述，并且并不意在表示可以实践本公开的唯一配置。附图结合在此并且构成具体实施方式的一部分。具体实施方式包括出于提供对本公开的全面理解的目的的具体细节。然而，将明显的是，在没有这些特定细节的情况下可以实践本公开。在一些实例中，以框图形式示出了结构和部件以便避免模糊本公开的概念。为了便于理解，相同的部件标记有相同的元件号。