[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201710140871.7 申请日: 2017-03-10
公开(公告)号: CN107767893B 公开(公告)日: 2021-03-16
发明(设计)人: 小内俊之;奥野晋也 申请(专利权)人: 东芝存储器株式会社
主分类号: G11C5/14 分类号: G11C5/14
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 杨林勋
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其具备:

第一转换电路,将输入信号转换为与所述输入信号对应的电流;

第二转换电路,将经所述第一转换电路转换的电流转换为与所述经转换的电流对应的电压;

传输路径,传输所述电压;

定电流源;

晶体管,具备接收来自所述定电流源的电流的漏极端子、及被施加由所述传输路径传输的所述电压的栅极端子;及

放大电路,将所述晶体管的漏极电压与参考电压的差分电压放大并输出;且

所述传输路径是硅贯通电极。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其进而具备:

第三转换电路,将电流转换为电压;

第二传输路径,传输由所述第三转换电路获得的所述电压;

第二定电流源;及

第四转换电路,基于由所述第二传输路径传输的所述电压及来自所述第二定电流源的电流,生成所述参考电压。

3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述第一转换电路及所述第二转换电路形成于第一半导体基板以及所述定电流源、所述晶体管及所述放大电路与所述第一半导体基板不同的第二半导体基板。

4.一种半导体装置,其具备:

第一转换电路,将输入信号转换为与所述输入信号对应的电流;

传输路径,供经所述第一转换电路转换的电流流动;

第二转换电路,将来自所述传输路径的所述经转换的电流转换为与所述经转换的电流对应的电压;

定电流源;

晶体管,具备接收来自所述定电流源的电流的漏极端子、及被施加经所述第二转换电路转换的电压的栅极端子;及

放大电路,将所述晶体管的漏极电压与参考电压的差分电压放大并输出;且

所述传输路径是硅贯通电极。

5.根据权利要求1或4所述的半导体装置,其中

所述第一转换电路将多个输入信号转换为与所述多个输入信号对应的电流,

所述放大电路输出用来识别所述多个输入信号的输出信号。

6.根据权利要求1或4所述的半导体装置,其中所述第一转换电路、所述第二转换电路、所述定电流源、所述晶体管及所述放大电路形成于同一半导体基板。

7.根据权利要求4所述的半导体装置,其中所述第一转换电路形成于第一半导体基板,所述第二转换电路、所述定电流源、所述晶体管及所述放大电路形成于与所述第一半导体基板不同的第二半导体基板。

8.根据权利要求3或7所述的半导体装置,其中所述第一半导体基板是存储芯片,

所述第二半导体基板是负责所述存储芯片与外部之间的信号的接收和发送的接口芯片。

9.根据权利要求3或7所述的半导体装置,其中所述第二半导体基板是存储芯片,

所述第一半导体基板是负责所述存储芯片与外部之间的信号的接收和发送的接口芯片。

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