[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于具备：

积层体，包含多个电极层，所述多个电极层介隔绝缘体沿着第一方向积层在衬底上或形成在衬底上的周边电路上所形成的平坦的源极线上，且所述多个电极层包含第一电极层、及设置在所述第一电极层与所述衬底之间的第二电极层；

柱状部，在所述积层体内沿着所述第一方向延伸；

第一电荷蓄积部，设置在所述第一电极层与所述柱状部之间；及

第二电荷蓄积部，设置在所述第二电极层与所述柱状部之间；且

所述第一电极层与所述柱状部之间的所述第一电荷蓄积部沿着与所述第一方向交叉的第二方向的第一长度比所述第二电极层与所述柱状部之间的所述第二电荷蓄积部沿着所述第二方向的第二长度长；

所述第一电极层的位置的所述柱状部的直径比所述第二电极层的位置的所述柱状部的直径大。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

还具备第三电荷蓄积部，

所述多个电极层还包含设置在所述第一电极层与所述第二电极层之间的第三电极层，且

所述第三电荷蓄积部设置在所述第三电极层与所述柱状部之间，所述第三电极层与所述柱状部之间的所述第三电荷蓄积部沿着所述第二方向的第三长度为所述第一长度以下的长度，且所述第三长度为所述第二长度以上的长度。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述柱状部的直径是距离所述衬底越近的部分越小。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述多个电极层的各层包含掺杂硅。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于：

所述第一电极层的所述掺杂硅中掺杂的杂质的浓度比所述第二电极层的所述掺杂硅中掺杂的杂质的浓度高。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述多个电极层的各层包含金属。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于还具备：

隧道绝缘膜，设置在所述柱状部与所述第一电荷蓄积部之间、及所述柱状部与所述第二电荷蓄积部之间；

第一阻挡绝缘膜，设置在所述第一电极层与所述第一电荷蓄积部之间；及

第二阻挡绝缘膜，设置在所述第二电极层与所述第二电荷蓄积部之间。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于：

所述柱状部与所述第一电荷蓄积部之间的所述隧道绝缘膜的第一内径比所述柱状部与所述第二电荷蓄积部之间的所述隧道绝缘膜的第二内径大。

9.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于还具备：

隧道绝缘膜，设置在所述柱状部与所述第一电荷蓄积部之间、所述柱状部与所述第二电荷蓄积部之间、及所述柱状部与所述第三电荷蓄积部之间；

第一阻挡绝缘膜，设置在所述第一电极层与所述第一电荷蓄积部之间；

第二阻挡绝缘膜，设置在所述第二电极层与所述第二电荷蓄积部之间；及

第三阻挡绝缘膜，设置在所述第三电极层与所述第三电荷蓄积部之间；且

所述柱状部与所述第一电荷蓄积部之间的所述隧道绝缘膜的第一内径比所述柱状部与所述第二电荷蓄积部之间的所述隧道绝缘膜的第二内径大，所述柱状部与所述第三电荷蓄积部之间的所述隧道绝缘膜的第三内径为第一内径以下的大小，且所述第三内径为第二内径以上的大小。