[发明专利]MEMS器件和MEMS真空扩音器

权利要求书

1.一种MEMS器件，包括：

第一膜元件；

第二膜元件，与所述第一膜元件间隔开；

低压区域，在所述第一膜元件和第二膜元件之间，所述低压区域具有小于环境压强的压强；以及

包括导电层的反电极结构，所述导电层被至少部分地布置在所述低压区域中或在所述低压区域中延伸，其中所述导电层包括在所述导电层的第一部分和所述导电层的第二部分之间提供电隔离的分段。

2.根据权利要求1所述的MEMS器件，其中所述导电层的所述分段是在所述导电层中的圆周窄间隙。

3.根据权利要求1所述的MEMS器件，其中所述第一膜元件包括可移置部分和固定部分，其中所述第二膜元件包括可移置部分和固定部分，并且其中所述导电层的所述第一部分布置在所述第一膜元件的所述可移置部分和所述第二膜元件的所述可移置部分之间。

4.根据权利要求1所述的MEMS器件，其中所述导电层的所述第一部分是所述导电层的中心部分，并且其中所述导电层的所述第二部分是所述导电层的边缘部分。

5.根据权利要求1所述的MEMS器件，其中所述导电层的所述第二部分电耦合到所述第一膜元件和所述第二膜元件。

6.根据权利要求1所述的MEMS器件，其中所述第一膜元件和第二膜元件被机械地耦合。

7.根据权利要求1所述的MEMS器件，其中所述第一膜元件和第二膜元件被电连接。

8.根据权利要求1所述的MEMS器件，其中一个或多个柱状物机械地耦合在所述第一膜元件和所述第二膜元件之间。

9.根据权利要求1所述的MEMS器件，其中在所述低压区域中的压强实质上是真空。

10.根据权利要求1所述的MEMS器件，其中所述低压区域在密封腔内，所述密封腔形成在所述第一膜元件和所述第二膜元件之间。

11.根据权利要求1所述的MEMS器件，其中所述反电极结构包括另一导电层，其中另一分段提供在所述另一导电层的第一部分和所述另一导电层的第二部分之间的电隔离，并且其中所述另一导电层的所述第一部分与所述导电层的所述第一部分电隔离。

12.根据权利要求11所述的MEMS器件，其中一个或多个柱状物机械地耦合在所述第一膜元件和第二膜元件之间，并且其中所述一个或多个柱状物是导电的以用于在所述第一膜元件和第二膜元件之间提供机械和电耦合。

13.根据权利要求12所述的MEMS器件，其中所述另一导电层的所述第一部分是所述另一导电层的中心部分，并且其中所述另一导电层的所述第二部分是所述另一导电层的边缘部分。

14.根据权利要求12所述的MEMS器件，其中所述第一膜元件包括可移置部分和固定部分，其中所述第二膜元件包括可移置部分和固定部分，其中所述导电层的所述第一部分面向所述第一膜元件的所述可移置部分，并且其中所述另一导电层的所述第一部分面向所述第二膜元件的所述可移置部分。

15.根据权利要求12所述的MEMS器件，其中所述导电层的所述第二部分电连接到所述第一膜元件，并且其中所述另一导电层的所述第二部分电连接到所述第二膜元件。

16.根据权利要求12所述的MEMS器件，其中所述另一导电层的所述分段是在所述另一导电层中的圆周窄间隙。