[发明专利]显示基板的制作方法、显示基板和显示装置在审
申请号: | 201710142159.0 | 申请日: | 2017-03-10 |
公开(公告)号: | CN106876411A | 公开(公告)日: | 2017-06-20 |
发明(设计)人: | 王小元;方琰;张逵;许志财;邓鸣 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 焦玉恒,王小会 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 制作方法 显示装置 | ||
1.一种显示基板的制作方法,包括:
在衬底基板上形成绝缘层,所述衬底基板包括显示区和周边区;
在所述绝缘层上形成平坦膜;
对所述平坦膜进行图案化工艺,在所述显示区形成第一厚度的平坦层,在所述周边区形成第二厚度的平坦层,且在所述第二厚度的平坦层中形成第一过孔,所述第二厚度小于所述第一厚度;
对所述周边区进行刻蚀处理,以使所述第二厚度的平坦层被减薄或去除,且在所述绝缘层中形成与所述第一过孔对应的第二过孔。
2.根据权利要求1所述的显示基板的制作方法,其中,所述第二厚度的平坦层小于或等于所述绝缘层的厚度。
3.根据权利要求1所述的显示基板的制作方法,其中,在所述衬底基板上形成所述绝缘层之前,还包括在所述周边区形成第一导电单元。
4.根据权利要求3所述的显示基板的制作方法,其中,在形成所述第二过孔后,还包括在所述周边区形成第二导电单元,所述第二导电单元通过所述第二过孔与所述第一导电单元电连接。
5.根据权利要求4所述的显示基板的制作方法,其中,在减薄时所述第二厚度的平坦层被完全去除,并且,所述绝缘层被去除部分厚度,在余下的所述绝缘层中形成与所述第一过孔对应的第二过孔。
6.根据权利要求1-5任一项所述的显示基板的制作方法,其中,所述绝缘层包括钝化层,或者,所述绝缘层包括栅极绝缘层和钝化层,其中,所述栅极绝缘层比所述钝化层更靠近所述衬底基板。
7.根据权利要求1-5任一项所述的显示基板的制作方法,其中,所述图案化工艺包括曝光工艺和显影工艺,采用多色调掩模板对所述平坦膜进行曝光。
8.根据权利要求1-5任一项所述的显示基板的制作方法,在形成所述平坦膜之前,还包括在所述显示区形成彩色滤光层。
9.一种显示基板,包括:
衬底基板,所述衬底基板包括显示区和周边区;
绝缘层,设置在所述衬底基板上;
平坦层,设置在所述绝缘层上,所述平坦层包括设置在所述显示区的显示区平坦层和设置在所述周边区的周边区平坦层,所述周边区平坦层的厚度小于所述显示区平坦层的厚度,在所述周边区设有贯穿所述周边区平坦层和所述绝缘层的过孔。
10.根据权利要求9所述的显示基板,还包括设置在所述周边区的第一导电单元和第二导电单元,所述第一导电单元设置在所述衬底基板和所述绝缘层之间,所述第二导电单元设置在所述平坦层上,所述第一导电单元和所述第二导电单元通过所述过孔电连接。
11.根据权利要求10或11所述的显示基板,其中,所述绝缘层包括钝化层,或者,所述绝缘层包括栅极绝缘层和钝化层,其中,所述栅极绝缘层比所述钝化层更靠近所述衬底基板。
12.一种显示基板,包括:
衬底基板,所述衬底基板包括显示区和周边区;
栅极绝缘层,设置在所述衬底基板上;
钝化层,设置在所述栅极绝缘层上,所述钝化层包括设置在所述显示区的第一厚度的钝化层和设置在所述周边区的第二厚度的钝化层,所述第二厚度小于所述第一厚度,在所述栅极绝缘层和所述第二厚度的钝化层中设有过孔,或者,在所述第二厚度的钝化层中设有过孔。
13.根据权利要求12所述的显示基板,还包括设置在所述周边区的第一导电单元和第二导电单元,所述第一导电单元设置在所述衬底基板和所述栅极绝缘层之间或者设置在所述栅极绝缘层和所述钝化层之间,所述第二导电单元设置在所述钝化层上,所述第一导电单元和所述第二导电单元通过所述过孔电连接。
14.一种显示装置,包括权利要求9-11任一项所述的显示基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的