[发明专利]用于校准的温度无关参考电流生成有效
申请号: | 201710142405.2 | 申请日: | 2017-03-10 |
公开(公告)号: | CN107239092B | 公开(公告)日: | 2019-08-06 |
发明(设计)人: | S.P.泰戈;S.雅达拉;R.萨米内尼 | 申请(专利权)人: | 桑迪士克科技有限责任公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 校准 温度 无关 参考 电流 生成 | ||
本文公开了可以在校准期间使用的用于生成温度无关参考电流的技术。可以基于通过片上校准电阻器的电流来生成温度无关参考电流。这减轻了对片外校准电阻器的需要,所述片外校准电阻器可能是昂贵的并且造成较慢的校准。片上校准电阻器的一个端子处的电压可以被调制为基本上消除片上校准电阻器的温度系数。这可以导致经过片上校准电阻器的电流与温度无关。温度无关参考电流可以基于参考电压和目标校准电阻。
优先权要求
本申请是于2015年10月30日提交的题为“Temperature Independent ReferenceCurrent Generation for Calibration(用于校准的温度无关参考电流生成)”的美国专利申请号14/928,466的部分接续申请并且要求其优先权,所述美国专利申请要求于2014年12月17日提交的题为“ON CHIP ZQ CALIBRATION(片上ZQ校准)”的美国临时专利申请号No.62/093,307的优先权;所述两个申请通过引用以其全部内容结合于此。
背景技术
本技术涉及半导体和/或非易失性存储器设备。
大多数半导体设备包括输入电路和输出电路,所述输入电路被配置成用于经由输入垫(或销)接收来自外部世界的信号,所述输出电路被配置成用于经由输出垫(或销)向外部提供内部信号。输入电路具有终端电阻器,所述终端电阻器用于外部传输线的阻抗匹配。输出电路具有输出驱动器,所述输出驱动器具有电阻(R导通)。由于各种情形,比如,供电电压的变化、运行温度的变化等,终端电阻器与输出驱动器二者的阻抗可以改变。因此,阻抗失配可能增加。
阻抗失配可以导致信号反射,其可以损坏信号完整性。由于电气产品的运行速度已经提高,在半导体设备之间对接的信号的摆动宽度(即,高逻辑电平与低逻辑电平之间的差异)已经逐渐减小,以便使用于信号传输的延迟时间最小化。然而,信号的摆动宽度的减小很容易将信号暴露于外部噪声,导致接口端子处的信号反射由于阻抗失配而变得更加严重。因此,阻抗失配可以引起数据高速传输的困难以及输出数据的失真。
为了减轻阻抗失配,可以周期性地校准设备的输出驱动器以及设备的终端电阻器。一种校准技术被称为ZQ校准。传统上,ZQ校准可以使用位于片外的精确校准电阻器。所述芯片可以具有相对于片外电阻器而校准的可变阻抗电路。ZQ校准调节可变阻抗电路的阻抗直到其被校准至片外电阻器。这产生了可以用于调节设备的输出驱动器的阻抗的阻抗码。
附图说明
在不同的附图中,具有相同附图标记的元件指代相同部件。
图1A是校准电路的一个实施例的简图,所述校准电路具有温度无关参考电流生成。
图1B是校准电路的另一个实施例的简图,所述校准电路具有温度无关参考电流生成。
图2A是温度无关参考电流生成电路的一个实施例的简图,其中,片上校准电阻器可以具有正的TCO。
图2B是图2A的IPTAT电流生成电路的一个实施例的简图。
图2C1是电路的一个实施例的简图,所述电路用于当使用图1A的电路时向校准节点提供图2A的温度无关参考电流。
图2C2描绘了电路的一个实施例,所述电路当使用图1B的电路时向校准节点提供ITIREF。
图2D是温度无关参考电流生成电路的一个实施例的简图,其中,片上校准电阻器具有负的TCO。
图3描述了使用片上校准电阻器来执行阻抗校准的过程的一个实施例。
图4A描绘了图1A的可变阻抗电路104的一个实施例。
图4B描绘了图1B的可变阻抗电路104的一个实施例。
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