[发明专利]升压保护电路

说明书

本发明公开了一种升压保护电路，包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管及第四晶体管。第一晶体管、第二晶体管及第四晶体管的第一端耦接，用以接收写入电压。第三晶体管的控制端用以接收工作电压。第四晶体管的第二端用以在第四晶体管导通时输出写入电压。当写入电压非预期地升压且工作电压未升压时，第一晶体管为导通，第二晶体管为截止，及第四晶体管为截止，以避免第四晶体管的第二端输出写入电压。

技术领域

本发明涉及一种升压保护电路，特别是涉及一种具有避免电压被非预期升压功能的升压保护电路。

背景技术

非挥发性内存(Non-Volatile Memory，NVM)是一种在没有电力供应至内存区块的情况下，仍然能够维持原本储存的数据的内存。非挥发性内存可应用于许多设备，例如磁性装置、光盘片、闪存或是其它半导体制程的记忆装置。非挥发性内存可分为电子式寻址系统(Electrically Addressed Systems)的内存，例如只读存储器(Read-Only Memory)，以及机械式寻址系统(Mechanically Addressed Systems)的内存，例如硬盘、光盘、磁带等装置。并且，非挥发性内存不需要将本身储存的数据做周期性地更新。因此，非挥发性内存常被用来当成备份数据的装置或是能长时间储存数据的装置。

为了驱动非挥发性内存的内部电路，各种不同的电压会被依序用来控制以及致能非挥发性内存。举例而言，输入至内部电路的工作电压可被用来控制内部电路的核心电路(Core Circuit)。输入至内部电路的输入/输出电压(I/O Voltage)可被用来控制内部电路的输入/输出装置。输入至内部电路的写入电压可被用来控制内部电路的数据存取操作。藉由适当调整这些不同的电压，非挥发性内存即可正常地被驱动。并且，在这些电压中，内部电路的工作电压必须要先被升压。

在非挥发性内存的内部电路中，当输入的电压非预期地升压时(例如写入电压非预期地升压)，且工作电压尚未升压时(例如写入电压在工作电压的前就升压)，非挥发性内存的内部电路就会进入异常的操作状态，将导致功率消耗以及电路发生干扰等现象。

发明内容

本发明实施例提出一种升压保护电路，包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管及第四晶体管。第一晶体管包括用以接收写入电压的第一端、控制端、及第二端。第二晶体管包括耦接于第一晶体管的第一端的第一端、耦接于第一晶体管的第二端的控制端、及耦接于第一晶体管的控制端的第二端。第三晶体管包括耦接于第一晶体管的第二端的第一端、用以接收工作电压的控制端、及用以接收接地电压的第二端。第四晶体管包括耦接于第二晶体管的第一端的第一端、耦接于第一晶体管的第二端的控制端、及用以在第四晶体管导通时输出写入电压的第二端。

本发明另一实施例提出一种升压保护电路，包括第一晶体管、电容、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、以及第六晶体管。第一晶体管包括用以接收写入电压的第一端、控制端、及第二端。电容包括耦接于第一晶体管的第一端的第一端、及耦接于第一晶体管的第二端的第二端。第二晶体管包括耦接于第一晶体管的第一端的第一端、耦接于第一晶体管的第二端的控制端、及耦接于第一晶体管的控制端的第二端。第三晶体管包括耦接于第一晶体管的第二端的第一端、用以接收工作电压的控制端、以及用以接收接地电压的第二端。第四晶体管包括耦接于第一晶体管的第一端的第一端、耦接于第二晶体管的第二端的控制端、及第二端。第五晶体管包括耦接于第四晶体管的第二端的第一端、用于接收工作电压的控制端、及用以接收接地电压的第二端。第六晶体管包括耦接于第一晶体管的第一端的第一端、耦接于第五晶体管的第一端的控制端、及用以在第六晶体管导通时输出写入电压的第二端。

本发明另一实施例提出一种升压串行系统，包括至少一个升压保护电路以及内部电路。至少一个升压保护电路用以接收至少一个驱动电压，并据以输出至少一个输出电压。内部电路耦接于至少一个升压保护电路，用以接收一个工作电压及至少一个输出电压。当驱动电压非预期地升压且工作电压尚未升压时，对应的升压保护电路执行电路保护功能，以避免驱动电压输出至内部电路。

附图说明