[发明专利]晶圆级扇出型封装件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明的示例性实施例涉及半导体封装领域，具体地讲，涉及一种集成有被动元件的晶圆级扇出型封装件和制造该晶圆级扇出型封装件的方法。

背景技术

目前，在集成有被动元件的晶圆级扇出型封装件中，由于晶圆级扇出型封装件内的各元件的热膨胀系数(Coefficient of Thermal Expansion，CTE)不同，因此会导致被动元件在晶圆级扇出型封装件中很容易发生位置偏移，继而影响后续形成在被动元件上的电路层与被动元件之间发生电连接不良的缺陷。例如，当利用诸如环氧树脂的包封材料对半导体芯片和被动元件进行包封时，会因包封材料的热膨胀和收缩而导致被动元件发生位置偏移。

图1A至图1D是示出了根据现有技术的制造晶圆级扇出型封装件的方法的剖视图。

参照图1A，在基体基底110上形成芯片120和与芯片120分开设置的被动元件130，并且在基体基底110上形成包封层140以包封芯片120和被动元件130。

然后，参照图1B，从芯片120和被动元件130去除基体基底110，以暴芯片120和被动元件130的表面。

接下来，参照图1C，在芯片120和被动元件130的暴露的表面上形成电路层150。

最后，参照图1D，在电路层150上形成焊球160。

在形成包封层140以包封芯片120和被动元件130时，由于包封层140的材料的热膨胀和收缩而导致被动元件130发生位置偏移，从而导致形成在被动元件上的电路层150与被动元件130之间发生电连接不良的缺陷。

因此，需要一种新的集成有被动元件的晶圆级扇出型封装件。

发明内容

为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明的示例性实施例的目的在于提供一种晶圆级扇出型封装件及其制造方法。

根据本发明的实施例，提供了一种制造晶圆级扇出型封装件的方法，所述方法包括：准备具有凸起的基体基底；将芯片设置在基体基底的凸起所处的表面上，并且使芯片与凸起分开布置；在基体基底上形成包封层，以包封芯片和凸起；去除基体基底，以暴露芯片的表面并且在包封层中形成与凸起对应的凹进；以及将被动元件设置在凹进中。

所述方法还可以包括：在将被动元件设置在凹进中之前，在芯片的暴露的表面以及凹进上形成电路层。

所述方法还可以包括：在将被动元件设置在凹进中之后，在电路层上设置焊球。

被动元件可以通过回流焊设置在凹进中。

凸起的上表面与基体基底的所述表面之间的距离可以为50μm-100μm。

包封层可以包括环氧树脂。

根据本发明的另一实施例，提供了一种晶圆级扇出型封装件，所述晶圆级扇出型封装件包括：芯片，具有上表面、与上表面相对的下表面以及端部；包封层，覆盖芯片的上表面和端部并暴露芯片的下表面，其中包封层在包封层的与芯片的下表面位于同一侧的表面上具有开口；电路层，形成在芯片的下表面和开口上；以及被动元件，形成在开口中并与电路层接触。

所述晶圆级扇出型封装件还可以包括设置在电路层上的焊球。

被动元件可以通过回流焊与电路层连接。

开口可以在包封层的厚度方向上具有50μm-100μm的厚度。

如上所述，在晶圆级扇出型封装件及其制造方法中，通过在形成包封层之后形成被动元件，使得能够避免在形成包封层时由于包封层的材料的热膨胀而引起的被动元件的相对位置发生偏移的问题，从而能够改善被动元件与电路层之间的电路短路问题。另外，在晶圆级扇出型封装件及其制造方法中，由于在形成电路层之后形成被动元件，从而极大地提高了制造精度；而且在形成被动元件期间可以对被动元件进行重制，从而提高良率。

附图说明

通过以下结合附图对实施例的描述，这些和/或其它方面将变得清楚且更容易理解，在附图中：

图1A至图1D是示出了根据现有技术的制造晶圆级扇出型封装件的方法的剖视图；

图2是示出了根据本发明的示例性实施例的晶圆级扇出型封装件的示意图；以及

图3至图8是示出了根据本发明的示例性实施例的制造晶圆级扇出型封装件的方法的剖视图。

具体实施方式