[发明专利]基于全波长可调谐谐振器的耦合结构及其可调带通滤波器

权利要求书

1.一种基于全波长可调谐谐振器的电耦合结构，其特征在于：包括左右对称设置的两个全波长可调谐谐振器，单个全波长可调谐谐振器包括可调电容及加载于可调电容两端的U型弯折微带线，所述U型弯折微带线远离可调电容端为开路端；其中：两个全波长可调谐谐振器通过远离可调电容的两段微带线相互靠近形成电耦合结构。

2.根据权利要求1所述基于全波长可调谐谐振器的电耦合结构，其特征在于，所述电耦合结构的耦合长度在四分之一波长范围以内。

3.一种具有交叉耦合结构的可调带通滤波器，包括上层金属微带结构，中间层介质基板和下层金属接地板，其特征在于，所述上层金属微带结构包括左右对称设置的两段微带耦合馈线以及设置于两段微带耦合馈线之间的两个全波长可调谐谐振器；

单个全波长可调谐谐振器包括可调电容及加载于可调电容两端的U型弯折微带线，所述U型弯折微带线远离可调电容端为开路端；其中：两个全波长可调谐谐振器通过远离调电容的两段微带线相互靠近形成电耦合结构；

单段微带耦合馈线包括依次连接的第一耦合馈线、第二耦合馈线和第三耦合馈线，其中：第一耦合馈线和第二耦合馈线分别与其相靠近的微带线形成磁耦合馈电，第三耦合馈线远离第二耦合馈线的一端通过金属过孔与所述金属接地板连接，两段微带耦合馈线之间通过第三耦合馈线相互靠近形成磁耦合结构；两端传输微带线分别与两端微带耦合馈线中的第一耦合馈线相连接形成输入端口和输出端口。

4.根据权利要求3所述一种具有交叉耦合结构的可调带通滤波器，其特征在于，所述电耦合结构的耦合长度在四分之一波长范围以内。

5.一种高阶可调带通滤波器，包括：上层金属微带结构，中间层介质基板和下层金属接地板，其特征在于，上层金属微带结构包括至少一个电磁耦合结构，所述电磁耦合结构包括顺次排列的三个全波长可调谐谐振器，单个全波长可调谐谐振器包括可调电容及分别加载于可调电容两端的U型弯折微带线，所述U型弯折微带线远离可调电容的两端为开路端；位于中间的全波长可调谐谐振器与一侧全波长可调谐谐振器形成电耦合，与另一侧全波长可调谐谐振器形成磁耦合；

其中：两个全波长可调谐谐振器之间通过远离可调电容的两段微带线相互靠近形成电耦合结构，两个全波长可调谐谐振器之间通过可调电容两端的两段微带线相互靠近形成磁耦合结构。

6.根据权利要求5所述的高阶可调带通滤波器，其特征在于，电耦合结构和磁耦合结构的耦合长度均在四分之一波长范围以内。