[发明专利]一种平面转印装置

权利要求书

1.一种平面转印装置，其特征在于，包括上台面、下台面、活动式支撑杆、第一高频震荡电路、第二高频震荡电路、保护电路和支撑台，所述上台面设置在支撑台上，所述上台面和下台面平行设置，所述上台面和下台面之间通过活动式支撑杆连接，所述上台面和下台面压合时相互重叠，所述第一高频震荡电路和第二高频震荡电路设置在支撑台内，所述第一高频震荡电路的第一谐振线圈设置在下台面，所述第二高频震荡电路的第二谐振线圈设置在上台面，所述上台面和下台面压合时所述第一谐振线圈和第二谐振线圈重叠；

所述第一高频震荡电路和第二高频震荡电路均采用零电压开关电路；

所述零电压开关电路包括电源、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一电容、第一高频线圈、第一晶体管、第二晶体管、第三二极管、第四二极管、第一二极管、第六二极管、第二电感、第三电感；所述第一电阻的第一端与第二电感的第一端、第四电阻的第一端以及电源正极连接，所述第一电阻的第二端与第二电阻的第一端、第一二极管第二端、第三二极管的第一端、第一晶体管的G极连接，所述第二电感的第二端与第一高频线圈的第一端、第三电感的第一端连接，所述第四电阻的第二端与第三电阻的第二端、第六二极管的第一端、第四二极管的第二端、第二晶体管的G极连接，所述第一二极管的第一端与第三电感的第一端、第一电容的第二端、第一高频线圈的第二端、第二晶体管的D极连接，所述第六二极管的第二端与第二电感下端、第一电容的第一端、第一高频线圈的第一端、第一晶体管的D极连接，所述第二电阻的第二端、第三二极管的第二端、第一晶体管的S极、第二二极管的第二端、第三电阻的第一端、第四二极管的第一端、第二晶体管的S极、第五二极管的第一端接入电源地，其中第二电感和第三电感为续流电感，所述第一高频线圈为谐振线圈；

所述保护电路耦接于供电端和第二电感的第一端之间，包括基准电压产生电路和反馈环路，所述基准电压产生电路包括并联电路和第七电阻，所述并联电路包括并联的第七齐纳二极管、第八电阻和第二电容，所述并联电路的第一端接地，所述并联电路的第二端耦接第七电阻的第一端，所述第七电阻的第二端耦接供电端，所述反馈环路包括第三晶体管、第一放大器、第二放大器和第九电阻，所述第三晶体管的第一端耦接供电端，所述第三晶体管的第二端耦接第一高频线圈的第一端，所述第三晶体管的控制端耦接第一放大器的输出端，所述第一放大器的第二输入端耦接并联电路的第二端，所述第一放大器的第一输入端耦接第二放大器的输出端，所述第二放大器的输入端耦接第一高频线圈的第一端，所述第二放大器的输出端耦接第九电阻后耦接地，所述第三晶体管为场效应晶体管或者三极管；

所述保护电路还包括电阻网络、比较器和放电通路，所述电阻网络包括第十电阻、第十一电阻、第十二电阻和第十三电阻，所述第十电阻的第一端耦接供电端，所述第十电阻的第二端耦接第十一电阻后耦接地，所述第十二电阻的第一端耦接供电端，所述第十二电阻的第二端耦接第十三电阻后耦接地，所述第十电阻的第二端耦接比较器的第一输入端，所述第十二电阻的第二端耦接比较器的第二输入端，放电通路包括串联的N-MOS晶体管和第十四电阻，所述比较器的输出端连接N-MOS晶体管的控制端，所述N-MOS晶体管的第二端耦接地，所述N-MOS晶体管的第一端耦接地十四电阻的第一端，所述第十四电阻的第二端耦接第一放大器的第二输入端。

2.如权利要求1所述的平面转印装置，其特征在于，所述活动式支撑杆包括相互平行的第一支撑轴、第二支撑轴、第三支撑轴和第四支撑轴，所述第一支撑轴、第二支撑轴、第三支撑轴和第四支撑轴与上台面和下台面的两条对侧边连接，所述上台面和下台面距离最远时，所述第一支撑轴、第二支撑轴、第三支撑轴和第四支撑轴垂直于上台面。

3.如权利要求2所述的平面转印装置，其特征在于，所述第一支撑轴和第二支撑轴的一端分别铰接在上台面的两条对侧边的一端，所述第一支撑轴和第二支撑轴的另一端分别铰接在下台面的两条对侧边的非端部，所述第三支撑轴和第四支撑轴的一端分别铰接在上台面的两条对侧边的非端部，所述第三支撑轴和第四支撑轴的另一端分别铰接在下台面的两条对侧边的一部，所述第一支撑轴、第二支撑轴、第三支撑轴和第四支撑轴均可以沿着铰接处的铰接点在90°范围内活动。