[发明专利]一种薄片状镍掺杂氢氧化镍电极材料及其制法和用途

权利要求书

1.一种薄片状镍掺杂氢氧化镍电极材料的制备方法，其特征是它包括下列步骤：

步骤1将氢氧化钙粉体通过搅拌分散在水里，形成氢氧化钙的浆料，最终得到的浆料的浓度为10-20g/L；

步骤2、称取可溶性镍盐作为前体，并将其溶解于水中得到镍的前体溶液，所制备的前体溶液中镍离子的浓度为0.05-0.2mol/L；

步骤3、取50-100ml步骤2中制备的前体溶液并转移到50ml步骤1制备的浆料中继续搅拌进行离子交换反应；

步骤4、将步骤3得到的混合体系进行过滤，洗涤，烘干并于氢气气氛一定温度下焙烧得到镍/氧化钙的复合物；

步骤5、取步骤2中配制的50ml镍离子溶液与步骤4中得到的1-10g镍/氧化钙的复合物混合一起搅拌，再次进行离子交换反应；

步骤6、将步骤5得到的混合体系进行过滤，洗涤，烘干即得到薄片状镍掺杂的氢氧化镍材料。

2.根据权利要求1所述的薄片状镍掺杂氢氧化镍电极材料的制备方法，其特征是：步骤1所述的氢氧化钙的纯度为分析纯，搅拌时间为24-48h。

3.根据权利要求1所述的薄片状镍掺杂氢氧化镍电极材料的制备方法，其特征是：步骤2所述的可溶性镍盐为硝酸镍、氯化镍或乙酸镍。

4.根据权利要求1所述的薄片状镍掺杂氢氧化镍电极材料的制备方法，其特征是：步骤3所述的离子交换反应时间为12-24h。

5.根据权利要求1所述的薄片状镍掺杂氢氧化镍电极材料的制备方法，其特征是：步骤4所述氢气气氛的焙烧温度为400-600℃，焙烧时间为1-2h，升温速度为2℃/min。

6.根据权利要求1所述的薄片状镍掺杂氢氧化镍电极材料的制备方法，步骤5所述的离子交换反应时间为24-72h。

7.一种权利要求1所述薄片状镍掺杂氢氧化镍电极材料的制备方法制得的薄片状镍掺杂氢氧化镍电极材料。

8.根据权利要求7所述的薄片状镍掺杂氢氧化镍电极材料在制备超级电容器中的应用。