[发明专利]一种钙掺杂氢氧化钴纳米片电极材料及其制法和在制备超级电容器中的应用在审
| 申请号： | 201710144721.3 | 申请日： | 2017-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN107068421A | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 田正芳;解明江;张万举;王永正;沈宇;郭学锋 | 申请（专利权）人： | 黄冈师范学院 |
| 主分类号： | H01G11/86 | 分类号： | H01G11/86;H01G11/32;H01G11/36 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所32207 | 代理人： | 黄嘉栋 |
| 地址： | 438000 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 氢氧化 纳米 电极 材料 及其 制法 制备 超级 电容器 中的 应用 | ||
1.一种薄片状钙掺杂功能化氢氧化钴电极材料的制备方法，其特征是它包括下列步骤：
步骤1将氢氧化钙粉体通过搅拌分散在水里，形成氢氧化钙的浆料，最终得到的浆料的浓度为15-30g/L；
步骤2、称取可溶性钴盐作为前体，并将其溶解于水和乙醇的混合溶剂中得到含钴的前体溶液，所制备的前体溶液中钴离子的浓度为0.2-0.5mol/L；
步骤3、将50ml步骤2中制备的前体溶液转移到50ml步骤1制备的浆料中继续搅拌进行离子交换反应；
步骤4、将步骤3得到的混合体系进行过滤，洗涤和烘干得到薄片状钙掺杂功能化氢氧化钴电极材料。
2.根据权利要求1所述的薄片状钙掺杂功能化氢氧化钴电极材料的制备方法，其特征是：步骤1所述的氢氧化钙的纯度为分析纯，搅拌时间为12-24h。
3.根据权利要求1所述的薄片状钙掺杂功能化氢氧化钴电极材料的制备方法，其特征是：步骤2所述的可溶性钴盐为硝酸钴、氯化钴或乙酸钴；所述的溶剂为水和乙醇的混合溶剂，其中水和乙醇的体积比为1:1。
4.根据权利要求1所述的薄片状钙掺杂功能化氢氧化钴电极材料的制备方法，其特征是：步骤3所述的离子交换反应时间为6-24h。
5.一种权利要求1所述的薄片状钙掺杂功能化氢氧化钴电极材料的制备方法制得的薄片状钙掺杂功能化氢氧化钴电极材料。
6.权利要求5所述的薄片状钙掺杂功能化氢氧化钴电极材料在制备超级电容器中的应用。
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