[发明专利]经封装装置以及形成经封装装置的方法

权利要求书

1.一种经封装装置，其特征在于，包括：

第一介电层，包含至少一导电线；

第二介电层，形成于所述第一介电层之上，并包括集成电路装置衬底及从所述第一介电层延伸且穿过所述第二介电层的通孔；以及

第三介电层，形成于所述第二介电层之上，并包括延伸穿过所述第三介电层的导电柱，

其中所述第二介电层的所述通孔安置于所述第三介电层中的所述导电柱与所述第一介电层中的所述至少一导电线之间并电耦合所述导电柱与所述至少一导电线，且所述导电柱远离所述第二介电层的表面与所述第三介电层远离所述第二介电层的表面共平面，

且其中所述第一介电层、所述第二介电层以及所述第三介电层分别包含于单一经封装装置中。

2.如权利要求1所述的经封装装置，其特征在于，所述导电柱被配置为所述经封装装置的电触点。

3.如权利要求1所述的经封装装置，其特征在于，所述导电柱及所述第二介电层的所述通孔的材料包含铜。

4.如权利要求1所述的经封装装置，其特征在于，所述第二介电层包含以下中的至少一者：环氧树脂模制化合物材料、模制底部填充材料、味之素增层膜材料、味之素增层膜系材料、树脂材料或其组合。

5.如权利要求1所述的经封装装置，其特征在于，所述第三介电层包含以下中的至少一者：聚酰亚胺、聚苯并恶唑、聚苯并恶唑系介电材料、苯环丁烷、苯环丁烷系介电材料或其组合。

6.如权利要求1所述的经封装装置，其特征在于，所述至少一导电线用以电耦合所述集成电路装置衬底与所述第二介电层的所述通孔。

7.如权利要求1所述的经封装装置，其特征在于，还包括：

至少一个焊料触点，安置于所述第一介电层的表面上，所述表面相对于 所述第二介电层安置于 所述第一介电层的另一表面。

8.如权利要求7所述的经封装装置，其特征在于，还包括：

载体衬底，通过所述至少一个焊料触点而耦合至所述经封装装置。

9.一种经封装装置，其特征在于，包括：

封装件，包括：

第一焊料触点；

第一重布线层，形成于所述第一焊料触点之上；

第一介电层，形成于所述第一重布线层之上，包括第一装置衬底及从所述第一重布线层延伸且穿过所述第一介电层的第一通孔；以及

第二介电层，形成于所述第一介电层之上，包括延伸穿过整个所述第二介电层的第一导电柱，且所述第一导电柱远离所述第一介电层的表面与所述第二介电层远离所述第一介电层的表面共平面；以及

扇出型结构，包括：

第二重布线层，形成于所述封装件的所述第二介电层之上；以及

第三介电层，形成于所述第二重布线层之上，包括第二装置衬底，

其中所述第二装置衬底通过所述第二重布线层、所述第一导电柱、所述第一介电层的所述第一通孔、及所述第一重布线层而电耦合至所述第一焊料触点。

10.如权利要求9所述的经封装装置，其特征在于，所述扇出型结构的所述第三介电层还包括从所述第二重布线层延伸且穿过所述第三介电层的第二通孔。

11.如权利要求10所述的经封装装置，其特征在于，所述扇出型结构还包括安置于所述第三介电层之上的第四介电层，且其中所述第四介电层包括延伸穿过所述第四介电层的第二导电柱。

12.如权利要求11所述的经封装装置，其特征在于，所述第二导电柱用以电耦合所述第二通孔与所述第二重布线层。

13.如权利要求12所述的经封装装置，其特征在于，所述第一导电柱及所述第二导电柱的材料各包含铜。