[发明专利]一种快速低功耗物理销毁电子盘存储信息的方法在审

专利信息
申请号: 201710145494.6 申请日: 2017-03-13
公开(公告)号: CN106951188A 公开(公告)日: 2017-07-14
发明(设计)人: 翟正军 申请(专利权)人: 西北工业大学
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06;G06F21/79
代理公司: 西北工业大学专利中心61204 代理人: 王鲜凯
地址: 710072 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 快速 功耗 物理 销毁 电子盘 存储 信息 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种销毁电子盘存储信息的方法,特别涉及一种快速低功耗物理销毁电子盘存储信息的方法。

背景技术

近年来,电子盘相对于传统机械硬盘因其读写速度快、低功耗、防震、体积小、低噪音等优点在航空、航天、兵器、船舶等军工领域得到广泛应用。鉴于军用数据的高保密性,在紧急情况下,需要短时间内对电子盘存储的信息进行彻底销毁。

目前销毁电子盘存储信息有两种方法:①软件销毁;②物理销毁。

软件销毁通过擦写整个电子盘的所有信息或者仅仅擦除文件分配表两种方式实现:根据电子盘存储介质NAND FLASH的固有特性,擦除1.5GB信息就需要1s时间,擦除一个有8片NAND FLASH组成的256GB的电子盘全部信息需要170s(约3分钟),完全不能满足紧急情况下的大容量存储设备快速销毁要求;如果仅仅擦除文件分配表,所需时间尽管较短,但由于信息在数据存储介质中是按块或扇区存储、按链表结构索引的,由此仅仅擦除文件分配表只是擦除了链表结构,实际存储的信息仍然在存储介质中,完全可以根据文件系统的结构采用一定技术手段恢复所存储的信息。

物理销毁目前主要通过大电流烧毁存储介质的方式实现,但大电流烧毁方式不仅要求销毁能量高,而且销毁时间较长。目前大电流方式销毁一颗三星8GB NAND Flash存储介质需要持续提供28V@3A的电源3s以上。如果销毁一块8片这颗芯片组成的64GB电子盘则需要3s以上近30A的电流。

在实际应用中尤其是在军用领域,在紧急情况下不可能提供这么大的销毁能量和这么长的销毁时间。军用电子盘在紧急情况下一般要求在1s内最大1A电流情况下,能够彻底销毁多个存储芯片组成的整个电子盘,达到不可恢复的物理销毁。

因此目前的软件销毁和硬件销毁两种方法在军用等特除场合下,均不能满足紧急情况下快速瞬间销毁和低销毁能耗的要求。

发明内容

为了克服现有销毁电子盘存储信息的方法实用性差的不足,本发明提供一种快速低功耗物理销毁电子盘存储信息的方法。该方法的系统包括电源转换模块、储能模块、控制模块、开关模块和隔离保护模块。28V销毁电源首先通过电源转换模块转换为5V电压;5V电压同时提供给控制模块和储能模块,控制模块控制储能转换时间,储能模块将5V电压转换为超高电压,转换完成后控制模块输出控制信号到开关模块;开关模块接收到控制信号后,将转换后的超高电压销毁源直接加载到电子盘上NAND Flash的存储介质上,瞬间冲击NAND Flash芯片内部存储数据的存储晶元,将其彻底销毁,达到数据不可恢复目的,确保电子盘存储信息的高保密性。本发明只需0.4s即可完成超高电压的储能转换,储能转换完成后瞬间即可对NAND Flash存储介质彻底销毁,销毁过程中伴有爆响声、冒烟等,销毁后NAND Flash上有明显穿洞,销毁后NANDFlash芯片彻底损毁,数据无法恢复,实用性好。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案:一种快速低功耗物理销毁电子盘存储信息的方法,其系统包括电源转换模块、储能模块、控制模块、开关模块和隔离保护模块。其特点是方法包括以下步骤:28V销毁电源首先通过电源转换模块转换为5V电压;5V电压同时提供给控制模块和储能模块,控制模块控制储能转换时间,储能模块将5V电压转换为超高电压,转换完成后控制模块输出控制信号到开关模块;开关模块接收到控制信号后,将转换后的超高电压销毁源直接加载到电子盘上NAND Flash的存储介质上,瞬间冲击NAND Flash芯片内部存储数据的存储晶元,将其彻底销毁,达到数据不可恢复目的,确保电子盘存储信息的高保密性。隔离保护模块确保所有销毁能源完全加载到存储介质上,不被电子盘上其他电路所消耗,同时也完成对其他电路的保护。

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