[发明专利]一种铸造多晶硅顶侧分开控制的加热控制系统及其控制方法在审
| 申请号： | 201710145644.3 | 申请日： | 2017-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN106757332A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 李建俊;宋丽平;张泽兴;黄林;洪炳华;张珩琨;许桢 | 申请（专利权）人： | 江西旭阳雷迪高科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 南昌新天下专利商标代理有限公司36115 | 代理人： | 李炳生 |
| 地址： | 332000 江西省九*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 铸造 多晶 硅顶侧 分开 控制 加热 控制系统 及其 方法 | ||
1.一种铸造多晶硅顶侧分开控制的加热控制系统，包括人机界面(1)、配电柜(10)，所述人机界面(1)连接工控机(2)，工控机(2)连接控制柜(3)，其特征在于，所述控制柜(3)内设有控制模块(4)，控制模块(4)连接可控硅（5），所述可控硅（5）一路经顶部信号线(6)连接顶部控制可控硅(8)，可控硅（5）另一路经侧部信号线(7)连接有侧部控制可控硅(9)，所述侧部信号线(7)和顶部信号线(6)均连接至配电柜(10)，配电柜(10)通过两个相并联的变压器(11)连接外部供电器(12)，所述顶部控制可控硅(8)和侧部控制可控硅(9)均包括有三个经水缆电缆(13)连接的加热电极(14)。
2.根据权利要求1所述的一种铸造多晶硅顶侧分开控制的加热控制系统，其特征在于，所述工控机(2)与可控硅（5）通过网线联网对接，达到可控硅（5）能够控制各个模块并且各模块之间能够实现单独计算，从而实现各个工艺参数的监控。
3.根据权利要求1所述的一种铸造多晶硅顶侧分开控制的加热控制方法，其特征在于，所述铸锭多晶硅顶侧分开控制的加热控制方法辅材选用G5石英坩埚，装料重量500-600kg送入铸锭炉内，抽真空后运行铸锭工艺，加热5-8小时运行至1500摄氏度后由功率控制模式转换成温度控制模式；熔化阶段隔热笼由零位逐步打开到4-8cm,顶部功率比值由50%逐步增加到80%，坩埚内温度为1380-1450摄氏度，坩埚底部温度900-1200摄氏度，实现晶体定向生长。
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