[发明专利]频率合成器

权利要求书

1.一种频率合成器，其特征在于，包括：参考频率模块、锁相环模块、DDS内插单元、带通滤波器以及控制器；其中，所述DDS内插单元包括直接数字频率合成模块和边带抑制混频器；

所述参考频率模块分别与所述锁相环模块的第一输入端以及直接数字频率合成模块的输入端相连；所述控制器分别与所述锁相环模块的受控端以及所述直接数字频率合成模块的受控端相连；

所述边带抑制混频器的第一输入端与所述直接数字频率合成模块的输出端相连，所述边带抑制混频器的第二输入端与所述锁相环模块的输出端相连，所述边带抑制混频器的输出端通过所述带通滤波器与所述锁相环模块的第二输入端相连。

2.根据权利要求1所述的频率合成器，其特征在于，所述DDS内插单元还包括：

低通滤波器，所述低通滤波器的输入端与所述直接数字频率合成模块的输出端相连，所述低通滤波器的输出端与所述边带抑制混频器的第一输入端相连。

3.根据权利要求1所述的频率合成器，其特征在于，所述带通滤波器为LC带通滤波器或者LTCC带通滤波器。

4.根据权利要求1至3任一所述的频率合成器，其特征在于，所述DDS内插单元还包括：

放大器，所述放大器的输入端与所述锁相环模块的输出端相连，所述放大器的输出端与所述边带抑制混频器的第二输入端相连。

5.根据权利要求4所述的频率合成器，其特征在于，所述放大器为射频小信号放大器。

6.根据权利要求2所述的频率合成器，其特征在于，所述边带抑制混频器为单边带混频器或者镜频抑制混频器。

7.根据权利要求6所述的频率合成器，其特征在于，所述单边带混频器包括：

功分器、第一90°电桥、第二90°电桥、第一混频器和第二混频器；

其中，所述功分器的输入端与所述锁相环模块的输出端相连，所述功分器的第一输出端与所述第一混频器的第一输入端相连，所述功分器的第二输出端与所述第二混频器的第一输入端相连；

所述第一90°电桥的输入端与直接数字频率合成模块的输出端相连，所述第一90°电桥的零相移端与所述第一混频器的第二输入端相连，所述第一90°电桥的90°相移端与第二混频器的第二输入端相连；

所述第一混频器的输出端与所述第二90°电桥的零相移端相连；

所述第二混频器的输出端与所述第二90°电桥的90°相移端相连；

所述第二90°电桥的输出端通过所述带通滤波器与所述锁相环模块的第二输入端相连。

8.根据权利要求6所述的频率合成器，其特征在于，所述单边带混频器包括正交调制器，所述直接数字频率合成模块包括第一子合成器和第二子合成器，其中，所述第一子合成器的输出信号与所述第二子合成器的输出信号频率相同，相位正交；

所述第一子合成器的输出端与所述正交调制器的同相端相连，所述第二子合成器的输出端与所述正交调制器的正交端相连；

所述正交调制器的本振端与所述锁相环模块的输出端相连，所述正交调制器的输出端通过所述带通滤波器与所述锁相环模块的第二输入端相连。

9.根据权利要求1所述的频率合成器，其特征在于，所述锁相环模块包括集成R分频器、鉴相器和N分频器的锁相环芯片、环路滤波器、压控振荡器以及耦合器；所述锁相环芯片、所述环路滤波器、所述压控振荡器以及所述耦合器依次按顺序相连；

所述耦合器的第一输出端输出至外部电路模块，所述耦合器的第二输出端连接至所述DDS内插单元的第二输入端；

所述锁相环芯片的R分频器输入端与所述参考频率模块的输出端相连，所述锁相环芯片的N分频器输入端与所述DDS内插单元的输出端相连。

10.根据权利要求9所述的频率合成器，其特征在于，所述耦合器为定向耦合器或者三端电阻耦合器。