[发明专利]硅深孔刻蚀方法有效
| 申请号： | 201710146151.1 | 申请日： | 2017-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN108573867B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 胡竞之 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅深孔 刻蚀 方法 | ||
1.一种硅深孔刻蚀方法，其特征在于，包括：
第一阶段，交替进行第一沉积步骤和第一刻蚀步骤至少一次；其中，通过提高所述第一沉积步骤和第一刻蚀步骤中的腔室压力，降低所述第一刻蚀步骤中的下电极功率，来提高刻蚀选择比；
第二阶段，采用氧气进行干法清洗工艺，以去除所述第一阶段中残留的沉积物和反应产物；
第三阶段，交替进行第二沉积步骤和第二刻蚀步骤至少一次；其中，通过降低所述第二沉积步骤和第二刻蚀步骤中的腔室压力，提高所述第二刻蚀步骤中的下电极功率，来获得所需的形貌和刻蚀深度。
2.如权利要求1所述的硅深孔刻蚀方法，其特征在于，所述第一沉积步骤和第一刻蚀步骤中的腔室压力的取值范围在40～80mT。
3.如权利要求2所述的硅深孔刻蚀方法，其特征在于，所述第一沉积步骤和第一刻蚀步骤中的腔室压力的取值范围在40～70mT。
4.如权利要求1所述的硅深孔刻蚀方法，其特征在于，所述第一刻蚀步骤中的下电极功率的取值范围在5～30W。
5.如权利要求1-4任意一项所述的硅深孔刻蚀方法，其特征在于，在所述第一阶段中，交替进行所述第一沉积步骤和第一刻蚀步骤的循环50次。
6.如权利要求1所述的硅深孔刻蚀方法，其特征在于，所述第二沉积步骤和第二刻蚀步骤中的腔室压力的取值范围在20～40mT。
7.如权利要求1所述的硅深孔刻蚀方法，其特征在于，所述第二刻蚀步骤中的下电极功率的取值范围在40～200W。
8.如权利要求7所述的硅深孔刻蚀方法，其特征在于，所述第二刻蚀步骤中的下电极功率的取值范围在50～100W。
9.如权利要求1,6-8任意一项所述的硅深孔刻蚀方法，其特征在于，在所述第三阶段中，交替进行所述第二沉积步骤和第二刻蚀步骤的循环100次。
10.如权利要求1所述的硅深孔刻蚀方法，其特征在于，所述第二阶段中的腔室压力为60mT；上电极功率为1200W；下电极功率为0W；所述氧气的气流量为100sccm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
